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유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노선

  • 기술번호 : KST2015186707
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 직경을 수 나노미터에서 수 마이크로미터의 넓은 범위까지 조절 가능하며, 직경이 비교적 균일할 뿐만 아니라 기재표면에 수직 방향으로 잘 배향되며, 특히, 나노선의 제조시 촉매를 사용하지 않기 때문에 촉매에 의한 오염을 방지할 수 있어 전기적, 광학적 성능이 우수한 산화아연계 나노선을 제조할 수 있다.
Int. CL C01G 9/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020020001394 (2002.01.10)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0456016-0000 (2004.10.28)
공개번호/일자 10-2003-0060619 (2003.07.16) 문서열기
공고번호/일자 (20041106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도포항시남구
2 박원일 대한민국 경상북도포항시남구
3 김동혁 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0007059-52
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2002.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0020832-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2003-0045131-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0504656-50
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0062786-29
7 의견서
Written Opinion		 2004.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0062783-93
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0318589-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

아연-함유 유기금속과 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 각각 반응기에 주입하고, 상압 이하의 압력 및 온도 200 내지 1,000 ℃의 반응조건하에서 상기 반응물들을 기상 화학반응시켜, 기재상에 산화아연계 나노선을 증착, 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 압력이 100 torr 이하인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 온도가 200 내지 700 ℃인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 기재가 Si, GaN, AlN 및 SiC중에서 선택된 반도체인 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 기재가 유리, 석영, SiO2/Si, Al2O3(0001), Al2O3(1100) 및 MgO 중에서 선택된 단결정 산화물인 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 아연-함유 유기금속이 디메틸아연, 디에틸아연, 아연 아세테이트, 아연 아세테이트 무수물 또는 아연 아세틸아세토네이트인 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 산소-함유 기체가 O2, O3, NO2, 수증기 또는 CO2인 것을 특징으로 하는 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 산소-함유 유기물이 C4H8O인 것을 특징으로 하는 방법

9 9

제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 직경 200 nm 이하의 산화아연계 나노선

10 10

제9항에 따른 산화아연계 나노선을 이용하여 제조된 나노소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.