증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선으로서,

상기 동종접합 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 p 타입 도핑을 하고 난 후에, n 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 n 타입 도핑을 한 구조로 되고,

상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 첨가해서 p 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 n 타입 도펀트를 첨가해서 n 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노선

증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선을 포함하는 나노소자로서,

상기 나노소자에 포함된 상기 동종접합 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 p 타입 도핑을 하고 난 후에, n 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 n 타입 도핑을 한 구조로 되고,

상기 나노소자에 포함된 상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 첨가해서 p 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 n 타입 도펀트를 첨가해서 n 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노소자

제2항에 있어서, 상기 나노소자는 p 타입과 n 타입의 동종접합 구조를 갖는 나노선을 이용한 전계트랜지스터(FET) 또는 발광다이오드(LED)인 것을 특징으로 하는 나노소자

제2항에 있어서, 상기 나노소자는 초격자 또는 양자우물 구조를 갖는 나노선을 이용한 레이저다이오드(laser diode)와 발광소자, 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode; RTD) 및 공명터널링트랜지스터(resonant tunneling transister; RTT)중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노소자

제2항에 있어서, 상기 나노소자는 수평으로 배열되어 이루어진 나노선 어레이 또는 수직으로 배열되어 이루어진 나노선 어레이인 것을 특징으로 하는 나노소자