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기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 미세홀 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 미세홀 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 애노드 절연층; 상기 게이트 절연층의 미세홀, 상기 게이트 전극층의 미세홀 및 상기 애노드 절연층의 미세홀에 의하여 형성되는 웰 내에 위치하며, 상기 캐소드층에 부착되어 있는 에미터; 상기 애노드 절연층 위에 위치하는 형광체층; 및 상기 형광체층 위에 위치하는 애노드층을 포함하며, 상기 애노드 절연층이 상기 형광체층에 직접 부착되어 분리된 방전공간을 형성하고, 상기 애노드층이 상기 방전공간을 밀폐하는 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드층과 상기 게이트절연층 사이에 위치하는 저항층을 더 포함하며, 상기 에미터는 상기 저항층 위에 부착되는 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED
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제 1 항에 있어서, 상기 웰은 4 nm 내지 500 nm 의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED
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제 1 항에 있어서, 상기 애노드 절연층의 두께는 100 nm 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED
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제 1 항에 있어서, 상기 애노드층 위에 위치하는 전면판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED
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(a) 기판 위에 캐소드층, 게이트 절연층, 게이트 전극층, 알루미늄층을 순차적으로 형성시키는 단계; (b) 상기 알루미늄층을 양극산화하여, 규칙적인 배열 패턴을 갖는 미세홀 및 상기 미세홀 하부에 잔류하는 장벽층을 갖는 알루미나층으로 전환시키는 단계; (c) 상기 알루미나층의 미세홀의 깊이를 상기 캐소드층의 표면까지 연장시키는 단계; (d) 상기 미세홀 내에서 상기 캐소드층에 부착되는 에미터를 형성하는 단계; (e) 상기 알루미나층 위에 형광체층을 형성하는 단계; (f) 진공분위기에서, 상기 형광체층 위에 애노드층을 형성하는 단계를 포함하는 일체형 3극구조 FED를 제조하는 방법
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제 7 항에 있어서, (a)단계는 상기 캐소드층 위에 저항층을 형성하는 단계를 더 포함하며, (c)단계에서 미세홀의 깊이는 상기 저항층의 표면까지 연장되고, (d)단계에서 상기 에미터는 상기 저항층에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, (b)단계의 상기 알루미늄층을 양극산화하는 단계는, 산성전해질의 수용액 중에서 상기 알루미늄층에 양의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 산성전해질은 옥살산, 황산, 술폰산, 인산 및 크롬산 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, (b)단계에서 상기 알루미나층에 형성되는 미세홀의 직경은 4 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (c)단계는, 이온밀링법, 건식식각법, 습식식각법 또는 양극산화법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (e)단계는 형광체를 전자빔증착, 열증착, 스퍼터링법, 저압화학기상증착법, 졸-겔법, 전기도금법, 또는 무전해도금법으로 상기 알루미나층 위에 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (b)단계 후에, 화학적 후처리를 통하여, 상기 알루미나층의 미세홀의 직경을 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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(a) 기판 위에 캐소드층, 게이트 절연층, 게이트 전극층, 애노드 절연층 및 알루미늄층을 순차적으로 형성시키는 단계; (b) 상기 알루미늄층을 양극산화하여, 규칙적인 배열 패턴을 갖는 미세홀 및 상기 미세홀 하부에 잔류하는 장벽층을 갖는 알루미나층으로 전환시키는 단계; (c) 상기 알루미나층의 미세홀의 깊이를 상기 캐소드층의 표면까지 연장시키는 단계; (c1) 상기 알루미나층을 제거하는 단계; (d) 상기 미세홀 내에서 상기 캐소드층에 부착되는 에미터를 형성하는 단계; (e) 상기 애노드 절연층 위에 형광체층을 형성하는 단계; (f) 진공분위기에서, 상기 형광체층 위에 애노드층을 형성하는 단계를 포함하는 일체형 3극구조 FED를 제조하는 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 애노드 절연층이 SiO2, SiCOH 또는 전기절연성 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제 15 항에 있어서, (c1) 단계는, 상기 알루미나층을 인산 용액 또는 인산과 크롬산의 혼합용액에 담금으로써, 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 15 항에 있어서, (a)단계는 상기 캐소드층 위에 저항층을 형성하는 단계를 더 포함하며, (c)단계에서 미세홀의 깊이는 상기 저항층의 표면까지 연장되고, (d)단계에서 상기 에미터는 상기 저항층에 부착되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 (b)단계 후에, 화학적 후처리를 통하여, 상기 알루미나층의 미세홀의 직경을 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 (b)단계 후에, 화학적 후처리를 통하여, 상기 알루미나층의 미세홀의 직경을 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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