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양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 산화아연계 나노선

  • 기술번호 : KST2015186712
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 갖는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 및/또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지는 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 점에 그 특징이 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020020011174 (2002.03.02)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0458162-0000 (2004.11.12)
공개번호/일자 10-2003-0071914 (2003.09.13) 문서열기
공고번호/일자 (20041126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도포항시남구
2 박원일 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2002-0062660-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0024295-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0279628-04
5 의견서
Written Opinion		 2004.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0373575-19
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0373576-54
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0461037-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조는,

산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500nm이고,

상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선

3 3

양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조는,

산화아연과 산화아연에 망간(Mn) 또는 코발트(Co)의 전이금속을 도핑하여 자성특성을 띄는 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연코발트(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500nm이고,

상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선

4 4

양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조는,

산화아연과 산화아연의 결정구조 및 밴드구조가 유사한 GaN, AlN, InN 및 이들 합금과 같은 질화물 반도체의 복수개의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고,

상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500nm이고,

상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선

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6 6

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