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이종접합구조의 산화아연(ZnO) 구성부재를 포함하되,상기 산화아연(ZnO)은;금속 또는 반도체 또는 유전체가 입혀진 산화아연 구성부재를 포함하거나, 또는상기 산화아연(ZnO)에 망간(Mn) 또는 코발트(Co)의 전이금속을 도핑하여 자성 특성을 띄게 한 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연코발트(Zn1-xCoxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연(ZnO)에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)이 첨가되어 밴드갭의 조절이 가능하도록 형성된 이종접합구조의 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선
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제1항에 있어서, 산화아연(ZnO)과, 상기 산화아연과 그 결정구조 및 밴드구조가 유사한 GaN, AlN, InN 및 이들 합금과 같은 질화물 반도체로 구성된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선
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이종접합구조의 산화아연계 나노선을 제조하기 위한 방법에 있어서,산화아연(ZnO)에;마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하거나, 또는 망간(Mn) 또는 코발트(Co)의 전이금속을 도핑하여 자성 특성을 띄게 한 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연코발트(Zn1-xCoxO(0≤x≤1)) 물질을 형성하거나, 또는 상기 산화아연과 그 결정구조 및 밴드구조가 유사한 GaN, AlN, InN 및 이들 합금과 같은 질화물 반도체 물질을 첨가하는 단계; 상기 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)의 첨가를 통해 밴드갭의 조절이 가능한 이종접합구조의 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1))의 물질을 형성하는 단계;상기 이종접합구조의 산화아연계 물질로 소정의 나노선을 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 나노선을 만들기 위해 금속촉매없이 자기결합모드를 이용하는 유기금속화학기상증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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제5항에 있어서, 아연을 함유한 전구체를 사용하거나, 마그네슘을 함유한 전구체를 사용하거나, 산소-함유 전구체로는 산소(O2) 가스 또는 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노선의 원하는 구조의 이종접합구조를 얻기 위해 반응 물질을 포함한 전구체를 함유한 가스, O2의 흐름을 각각 소정의 반응기 및 배기라인으로 적절히 조절해 주면서 공급하는 것을 특징으로 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 반응기 내의 압력 및 온도는 각각 10-5-760mmHg, 0-1000 ℃를 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 반응기 내의 압력 및 온도는 각각 10-5-760mmHg, 0-1000 ℃를 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선 제조방법
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