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실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 저항 메탈 전극구조와 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186730
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ni/Sb/Au 금속화 공정을 이용한 n-type 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 접촉저항 오믹 메탈 전극 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 메탈 전극 제조에 있어서, 실리콘 게르마늄 층상에 실리콘 캡핑 레이어를 형성하지 않고, Ni/Sb/Au 구조의 금속 전극을 직접 형성한 후, 열처리에 의한 Ni 실리사이드 형성 및 Sb 도핑효과의 결합을 통해 반도체 기판과 메탈 전극간 저 접촉 저항 특성을 구현할 수 있도록 하는 이점이 있다. 또한 상기 저 접촉 저항 특성을 이용하여 소오스와 드레인 전극을 증착하고, 열처리를 통해 오믹 접합을 형성시킨 후, 게이트 전극을 형성하는 일반적인 HEMT 제작 공정과는 반대로 게이트 전극을 소오스 및 드레인 전극 형성전에 형성하므로 폭이 더 미세한 게이트 전극의 형성이 가능하게 되며, 특성의 개선이 용이하게 되는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/456(2013.01) H01L 29/456(2013.01) H01L 29/456(2013.01) H01L 29/456(2013.01)
출원번호/일자 1020020023310 (2002.04.29)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0461788-0000 (2004.12.03)
공개번호/일자 10-2003-0085153 (2003.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20041214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도포항시남구
2 김이곤 대한민국 경상북도포항시남구
3 장호원 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0128781-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0002052-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0020849-81
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0125454-98
6 의견서
Written Opinion		 2004.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0125455-33
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0379321-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 접촉저항 구현을 위한 메탈 전극 구조에 있어서,

실리콘 서브스트레이트와,

상기 실리콘 서브스트레이트층상에 형성되는 실리콘 시드 층과,

상기 실리콘 시드 층상에 형성되는 실리콘 게르마늄 층과,

상기 실리콘 게르마늄 층상에 저항 접촉을 위한 Ni 층과,

상기 니켈 층상에 증착되며 니켈 층에의 도펀트 작용을 위한 Sb 층과,

상기 안티몬 층상에 증착되어 전극을 연결하는 Au 층

을 포함하는 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 저항 메탈전극 구조

2 2

삭제
3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

삭제
6 6

실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 접촉저항 구현을 위한 메탈 전극 제조 방법에 있어서,

(a)실리콘 서브스트레이트층상에 실리콘 시드 층을 형성하는 단계와,

(b)상기 실리콘 시드 층상에 실리콘 게르마늄 층을 형성하는 단계와,

(c)상기 실리콘 게르마늄 층상에 전극 연결을 위해 Ni/Sb/Au 구조의 금속 전극층을 형성하는 단계

를 포함하는 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 저항 메탈 전극 제조 방법

7 7

제6항에 있어서,

상기 (c)단계는, (c1)상기 실리콘 게르마늄 층상에 저항 접촉을 위한 Ni 층을 진공 증착법을 통해 금속 박막으로 증착시키는 단계와,

(c2)상기 니켈 층에의 도펀트 작용을 위한 Sb층을 상기 니켈 층상에 증착시키는 단계와,

(c3)상기 Sb 층상에 전극 연결을 위한 Au 층을 증착시키는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 저항 메탈 전극 제조 방법

8 8

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