요약 | 본 발명은 원자층 화학증착법에 의해 반도체 소자용 산화막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상기 원자층 화학증착법에서 가장 문제시되고 있는 박막 내 불순물을 줄일 수 있는 반도체 소자용 산화막 제조방법을 제공한다.본 발명의 방법에 따르면, 기존의 방법보다 획기적으로 낮은 불순물을 함유한 박막을 제조할 수 있었으며, 이와 같이 제조된 박막은 게이트 절연막과 캐패시터, 금속배선, 확산방지막 등 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. |
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Int. CL | H01L 21/31 (2006.01) |
CPC | H01L 21/0228(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020020041576 (2002.07.16) |
출원인 | 학교법인 포항공과대학교 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2004-0006959 (2004.01.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2002.07.16) |
심사청구항수 | 6 |