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저유전체 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186746
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 화학증착법에 의한 SiCOH 저유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 하나 이상의 비닐이나 에티닐기를 포함하는 실리콘 또는 실리케이트 전구체 물질을 산화기체 플라즈마로 화학증착시키는 것을 포함하는 본 발명의 방법에 따라 제조된 SiCOH계 박막은 유전상수가 낮은 절연막으로 이용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020028660 (2002.05.23)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0002993 (2003.01.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020010038050   |   2001.06.29
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이시우 대한민국 경상북도포항시남구
2 곽상기 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0158918-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0008937-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0063232-73
5 의견서
Written Opinion
2004.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0167500-74
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0167501-19
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0374112-19
8 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2004.11.05 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2004-0015990-31
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2004.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0484115-47
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2004.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0485538-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 실리콘 또는 실리케이트 전구체 물질을 산화기체 플라즈마로 화학증착시키는 것을 포함하는, SiCOH 계열 저유전체 박막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 실리콘 또는 실리케이트 전구체 물질이 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물임을 특징으로 하는 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 실리콘 또는 실리케이트 전구체 물질이 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물과 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 탄화수소 화합물과의 조합임을 특징으로 하는 방법

4 4

제2항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물이 하나 이상의 할로겐 원소로 치환됨을 특징으로 하는 방법

5 5

제3항에 있어서,

상기 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물이 하나 이상의 할로겐 원소로 치환됨을 특징으로 하는 방법

6 6

제3항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 탄화수소 화합물이 하나 이상의 할로겐 원소로 치환됨을 특징으로 하는 방법

7 7

제3항에 있어서,

상기 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물이 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법

8 8

제3항에 있어서,

상기 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물과 상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 탄화수소 화합물과의 조합비가 1 : 0

9 9

제2항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물이 비닐트리메틸실란, 비닐트리에틸실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 헥사비닐디실록산, 알릴디메틸실란, 알릴디메톡시실란, 에티닐트리메틸실란, 에티닐트리에틸실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

10 10

제9항에 있어서,

비닐트리메틸실란, 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 알릴디메틸실란, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 비닐트리메톡시실란 및 에티닐트리메틸실란 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

11 11

제3항에 있어서,

상기 유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물이 트리메틸실란, 트리에틸실란, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 테트라메틸실란, 테트라에틸실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 헥사메틸시클로트리실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 테트라에틸시클로테트라실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 헥사메틸디실록산, 비스트리메틸실릴메탄, 비닐트리메틸실란, 비닐트리에틸실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 헥사비닐디실록산, 알릴디메틸실란, 알릴디메톡시실란, 에티닐트리메틸실란, 에티닐트리에틸실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

12 12

제11항에 있어서,

테트라메틸실란, 헥사메틸디실록산 및 테트라메틸시클로테트라실록산 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

13 13

제3항에 있어서,

상기 하나 이상의 비닐이나 에티닐기를 포함하는 탄화수소 화합물이 H2C=CH2, F2C=CF2, H2C=CF2, HFC=CFH, F2C=C=CF2, H2C=C=CF2, HFC=C=CFH, HC≡CH, FC≡CH, FC≡CF, Cl2C=CCl2, H2C=CCl2, HClC=CClH, Cl2C=C=CCl2, H2C=C=CCl2, HClC=C=CClH, ClC≡CH, ClC≡CCl, Br2C=CBr2, H2C=CBr2, HBrC=CBrH, Br2C=C=CBr2, H2C=C=CBr2, HBrC=C=CBrH, BrC≡CH, BrC≡CBr, I2C=CI2, H2C=CI2, HIC=CIH, I2C=C=CI2, H2C=C=CI2, HIC=C=CIH, IC≡CH, IC≡CI 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

14 14

제13항에 있어서,

H2C=CH2 또는 F2C=CF2 임을 특징으로 하는 방법

15 15

제3항에 있어서,

유기실리콘 또는 유기실리케이트 화합물과 하나 이상의 비닐 또는 에티닐기를 포함하는 탄화수소 화합물과의 조합이, 테트라메틸실란(SiC4H12)과 C2F4의 조합, 테트라메틸시클로테트라실록산(Si4O4C4H16)과 C2H4의 조합 또는 헥사메틸디실록산(Si2OC6H18)과 C2H4의 조합임을 특징으로 하는 방법

16 16

제1항에 있어서,

상기 산화기체가 O2, N2O, O3, H2O2, CO2, 수증기 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법

17 17

제1항에 있어서,

증착된 박막을 100 내지 500℃에서 0

18 18

제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된, SiCOH 계열 저유전체 박막

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1 EP01399955 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP03828540 JP 일본 FAMILY
3 JP16534400 JP 일본 FAMILY
4 TW571350 TW 대만 FAMILY
5 US07087271 US 미국 FAMILY
6 US20040166240 US 미국 FAMILY
7 WO2003005429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN1277290 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1522462 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1399955 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2004534400 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2004534400 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2004534400 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP3828540 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 RU2004102519 RU 러시아 DOCDBFAMILY
9 RU2264675 RU 러시아 DOCDBFAMILY
10 TW571350 TW 대만 DOCDBFAMILY
11 US2004166240 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US7087271 US 미국 DOCDBFAMILY
13 WO03005429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
14 WO03005429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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