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a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 재질인 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 b)단계에서 반응기체 공급을 중단한 후 반응기체를 퍼징하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계는 상온 내지 100℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 절연물질 전구체는 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS), 테트라메틸오르토실리케이트(TMOS), 테트라프로필오르토실리케이트 (TPOS) 및 테트라부틸오르토실리케이트(TBOS)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계에서 일회에 증착되는 절연막의 두께는 3 내지 12 nm 인 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계의 플라즈마 에너지가 상기 a) 단계의 플라즈마 에너지보다 낮은 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계는 60 내지 100 와트, 상기 b)단계는 20 내지 60 와트의 플라즈마 에너지에서 실시되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 산소 또는 산소 함유 기체에 의해 여기되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 산소 함유 기체는 산소/헬륨, 산소/아르곤 및 산소/질소로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 산소 함유 기체는 산소/헬륨, 산소/아르곤 및 산소/질소로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 절연막 증착 방법
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