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기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는, 금속/나노소재 이종접합구조체(heterostructure)의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 나노소재가 ZnO, GaN, Si 및 InP 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 2 항에 있어서, 나노소재가 ZnO이고, 이 ZnO가, 아연-함유 유기금속과 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 각각 반응기에 주입하고, 상압 이하의 압력 및 온도 200 내지 1,000℃의 반응조건 하에서 상기 반응물들을 화학반응시켜 유기금속 화학증착법에 의해 기재 상에 증착, 성장된 나노선 또는 나노막대인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 금속이 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 금속의 증착이 스퍼터링(sputtering), 열 또는 전자빔 증발법(thermal or e-beam evaporation), 펄스 레이저 증착법(pulse laser deposition), 분자 빔 증착법(Molecular beam epitaxy) 또는 화학증착법(CVD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 나노소재의 팁(tip) 부위에 금속이 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체
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제 6 항의 금속/나노소재 이종접합구조체가 사용된 나노소자
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제 7 항에 있어서, 전자소자, 센서, 광소자 또는 자성소자임을 특징으로 하는 나노소자
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