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a) 제 1 부도체 기판 상에 고온 초전도체 단결정층을 접착하는 단계; b) 상기 단결정층을 가공하여 제 1 두께를 갖는 단상을 형성한 후 단상의 한쪽 부분을 제 1 두께의 1/2 보다 깊게 제거함으로써, 단상의 한쪽 부분이 제 1 두께의 1/2 이하인 제 2 두께를 갖는 구조의 단상층을 형성하는 단계; c) 제 2 부도체 기판 상에 접착층을 형성한 후 여기에 b)에서 얻은 단상층을 접착시켜, 제 1 부도체 기판/접착층/단상층/접착층/제 2 부도체 기판의 적층물 구조를 얻는 단계; d) 상기 적층물로부터 제 1 부도체 기판을 분리하여, 단상층의 표면을 노출시킨 후 그 표면에 금속층을 형성하는 단계; e) 단상층의 제 1 두께를 갖는 부분의 일부와 그 상부 금속층을 제거하여, b) 단계에서 형성된 제 2 두께를 갖는 단상층 부분과 엇갈리는 단차 부위에 선천성 조셉슨 접합이 포함되도록 하는 단계; f) 금속층이 입혀진 단상층과 금속층이 입혀져 있지 않은 단상층의 전 두께를 따라 가공함으로써 두 개의 조셉슨 접합부위를 포함하는 환형의 단상구조를 얻는 단계; 및 g) 상기 환형의 단상구조에 전류를 인가하기 위한 전류전극 및 환형 단상구조 양단의 전압을 측정하기 위한 전압전극 단자를 형성하는 단계 를 포함하는 고온 초전도 양자간섭 소자(SQUID)의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고온 초전도체 단결정은 비스무스계 또는 탈륨계의 고온초전도체 단결정인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 부도체 기판은 유리, 사파이어 및 산화마그네슘으로부터 선택되는 부도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 단상층의 제 1 두께는 30-200 nm 인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계, e) 단계 및 f) 단계에서 단상층의 제거 및 가공은 마이크로패터닝과 이온식각에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계에서 사용된 접착층은 음성 포토레지스트 또는 폴리이미드로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 d) 단계에서 형성되는 금속층의 두께는 100-300nm 인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 e) 단계에서 단차 부위의 폭이 2- 10㎛인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계에서 단결정층의 가공 및 상기 d) 단계에서 단상층 표면 노출이 벽개기법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계에서 단결정층의 가공 및 상기 d) 단계에서 단상층 표면 노출이 벽개기법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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