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반도체 소자용 하프늄 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186803
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자용 하프늄 실리케이트(HfSixOy, 이때 0.1<x<9이고, 2<y<40이다) 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 불순물의 혼입이 적은, 목적하는 조성의 하프늄 실리케이트 박막을 빠르고 재현성 있게 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 하프늄 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02148(2013.01) H01L 21/02148(2013.01) H01L 21/02148(2013.01)
출원번호/일자 1020030028198 (2003.05.02)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0547282-0000 (2006.01.20)
공개번호/일자 10-2004-0094201 (2004.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이시우 대한민국 경상북도포항시남구
2 강상우 대한민국 서울특별시용산구
3 김원규 대한민국 경상북도울릉군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0159487-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015753-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0305136-32
5 의견서
Written Opinion		 2005.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0462411-30
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0462410-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0540223-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
0
2 2
제 1 항에 있어서, 실리콘 알콕시드가 실리콘의 탄소 원자 1 내지 5개의 알콕시화물인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 실리콘 알콕시드가 실리콘 테트라에톡시드(Si(OEt)4) 또는 실리콘 테트라-n-부톡시드(Si(OnBu)4)인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 하프늄 할라이드가 HfCl4-xHx(이때, x는 0, 1, 2 또는 3이다)인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 하프늄 할라이드가 하프늄 테트라클로라이드(HfCl4)인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 하프늄 아미도 화합물이 Hf(N(CH3)2)4, Hf(N(C2H5)2)4 및 Hf(NCH3C2H5)4로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 하프늄 실리케이트 박막
8 8
삭제
9 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.