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금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대;상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(Ohmic) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(Schottky) 특성이 나타나도록 되고,상기 반도체 나노막대가 n-타입 반도체로서 상기 금속과 쇼트키 전극을 형성하는 경우, 상기 반도체 나노막대에 증착되는 상기 금속은, 일함수가 상기 반도체 나노막대의 전자 친화도(electron) 보다 큰 실리사이드 계열 금속이거나 또는 일함수가 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 금속이고,상기 금속이 나노막대의 일함수 보다 작은 금속인 경우, 상기 금속 위에 금(Au) 또는 백금(Pt)이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제1항에 있어서, 상기 전극 구조물은 쇼트키 다이오드, 트랜지스터, 광검출소자, 발광소자, 감지(sensing) 소자, 나노시스템, 집적회로 및 어레이 회로 중의 적어도 어느 하나에 적용되는 쇼트키 전극 또는 오믹 전극으로 사용되도록 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제1항에 있어서, 상기 전극 구조물을 형성하는 상기 나노막대 및 전극의 지름이 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노막대는 산화아연(ZnO), 산화타이타늄, GaN, Si, InP, InAs, GaAs 및 이들 합금 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제1항에 있어서, 상기 실리사이드 계열 금속은 Ni, Pt, Pd, Au, W, PtSi 및 NiSi 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 상기 금속은 타이타늄(Ti), 알루미늄(Al), 인듐(In) 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 전극 구조물의 전기적 특성을 향상시키기 위해 상기 금속의 증착 후 섭씨 1000도 이하의 열처리가 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물
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금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법에 있어서, 소정의 기재 위에 반도체 나노막대를 수직 또는 일방향으로 성장시키는 단계;상기 성장된 반도체 나노막대의 소정부위에 스퍼터링(sputtering), 열 및 전자빔 증발법(thermal or e-beam evaporation)중의 어느 한 방법을 통해 금속을 증착시키는 단계;를 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(Ohmic) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(Schottky) 특성이 나타나도록 하고,상기 반도체 나노막대가 n-타입 반도체로서 상기 금속과 쇼트키 전극을 형성하는 경우, 상기 반도체 나노막대에 증착되는 상기 금속은, 일함수가 상기 반도체 나노막대의 전자 친화도(electron) 보다 큰 실리사이드 계열 금속이거나 또는 일함수가 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 금속이고,상기 금속이 나노막대의 일함수 보다 작은 금속인 경우, 상기 금속 위에 금(Au) 또는 백금(Pt)을 증착시키는 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 성장된 나노막대 및 증착된 전극의 지름이 500nm 이하가 되도록 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 반도체 나노막대는 산화아연(ZnO), 산화타이타늄, GaN, Si, InP, InAs, GaAs 및 이들 합금 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 실리사이드 계열 금속은 Ni, Pt, Pd, Au, W, PtSi 및 NiSi 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 상기 금속은 타이타늄(Ti), 알루미늄(Al), 인듐(In) 중의 하나 이상을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 전극 구조물의 전기적 특성을 향상시키기 위해 상기 금속의 증착 후 섭씨 1000도 이하의 열처리를 하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 전극 구조물의 전기적 특성을 향상시키기 위해 상기 금속의 증착 후 섭씨 1000도 이하의 열처리를 하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물의 제조 방법
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