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중심이 제거된 나노 구조체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186808
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요약 본 발명은 중심부(core)가 제거된 나노 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등의 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선에서 중심 소재인 산화아연을 부식성 가스, 무기산, 플라즈마 등을 사용하여 제거함으로써 제조된 속이 빈 나노 구조체는, 나노선에 비해 부피 대 단면적 비가 2배 이상 크고, 모양과 길이 및 중심소재 제거 정도의 조절 및 빈 공간에 이물질의 주입 등을 통해 다양한 특성 및 구조를 제공할 수 있고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 단일구조체로 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C23C 16/56(2013.01)
출원번호/일자 1020030026068 (2003.04.24)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0604130-0000 (2006.07.18)
공개번호/일자 10-2004-0092583 (2004.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 안성진 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0146239-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009391-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0350878-35
5 의견서
Written Opinion
2005.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0531177-47
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0531174-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0041698-99
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2006.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0005332-10
9 등록결정서
Decision to grant
2006.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0218747-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
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유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 전이금속계 물질, 질화물 반도체 또는 유전체를 기상 코팅하여 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선을 얻은 후, 중심(core)인 산화아연을 나노선의 길이를 따라 전체적으로 또는 일부 제거하는 것을 포함하는, 5 내지 30 nm 범위의 직경을 갖는 나노튜브, 나노티 또는 나노캡 형태의 나노 구조체 제조방법
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제 6 항에 있어서, 산화아연 중심을 부식성 가스, 무기산 또는 플라즈마를 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 6 항에 있어서, 부식성 가스가 암모니아(NH3) 또는 삼염화붕소(BCl3)임을 특징으로 하는 방법
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제 6 항에 있어서, 무기산이 1 내지 40% 농도의 염산 또는 질산 용액임을 특징으로 하는 방법
10 10
제 6 항에 있어서, 플라즈마가 수소 또는 질소 가스로부터 생성되는 것을 특징으로 하는 방법
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