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하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 하기 화학식 2의 변형된 고체 기판에 공유결합된 고체 기판
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제1항에 있어서, 상기 고체 기판은 유리, 실리콘 웨이퍼, ITO 유리, 산화알미늄, 또는 이산화티탄 기판인 것을 특징으로 하는 고체 기판
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제1항에 있어서, 상기 쿠커비투릴 유도체가 공유결합된 고체 기판은 하기 화학식 3 내지 6의 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고체 기판: [화학식 3] (상기 화학식 3에서, n은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다) [화학식 4] (상기 화학식 4에서, n은 1 내지 20의 정수이고, X는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기를 갖는 디알킬설피드 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기이다) [화학식 5] (상기 화학식 5에서, n은 1 내지 20의 정수이다) [화학식 6] (상기 화학식 6에서, n은 1 내지 20의 정수이다)
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하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 하기 화학식 7의 변형된 고체 기판에 공유결합된 것을 특징으로 하는 고체 기판: [화학식 1] (상기 화학식 1에서, n 및 R1은 제1항에서 정의된 바와 같다) [화학식 7] (상기 화학식 7에서, R3는 말단에 티올, 아민, 에폭시, 이소시안, 또는 이소티오시안 작용기를 갖는 C1-C10 알킬기이다)
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5
제4항에 있어서, 상기 고체 기판은 금, 은, 백금, 또는 구리 기판인 것을 특징으로 하는 고체 기판
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6
제4항에 있어서, 상기 쿠커비투릴 유도체가 공유결합된 고체 기판은 하기 화학식 8 내지 11의 고체 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고체 기판: [화학식 8] (상기 화학식 8에서, n은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다) [화학식 9] (상기 화학식 9에서, n은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이고, X는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기를 갖는 디알킬설피드, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기이다) [화학식 10] (상기 화학식 10에서, n은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이고, X는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기를 갖는 디알킬설피드, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기이다) [화학식 11] (상기 화학식 11에서, n은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다)
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고체 기판을 단백질칩의 제조에 기판으로서 사용하는 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고체 기판을 유전자칩의 제조에 기판으로서 사용하는 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고체 기판을 생체물질 분석용 센서의 제조에 기판으로서 사용하는 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고체 기판을 생체물질 분석용 센서의 제조에 기판으로서 사용하는 방법
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