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기판을 포함하는 반응 챔버에 금속 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 기판 상에 금속-히드록시(OH) 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 알루미늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 상기 기판 상에 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 수소를 포함하는 실리콘 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 수소가 함입되지 않는 금속-산소-알루미늄-실리콘 원자층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속-히드록시 원자층 형성 단계, 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층 형성 단계 및 금속-산소-알루미늄-실리콘 원자층 형성 단계를 사이클적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 실리 알루미네이트 박막은 화학식으로 MAlxSiyOz (M은 La, Hf 또는 Zr 이고, 0
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제1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 하프늄(Hf) 전구체, 란탄(La) 전구체 또는 지르코늄(Zr) 전구체를 이용하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 수증기와 반응하여 히드록시기(OH기)를 형성하는 전구체를 이용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 전구체로 하프늄 전구체를 이용할 경우, 상기 하프늄 전구체는 Hf-N-R[R은 알칸(alkane), 알켄(alkene), 또는 알킨(alkyne)], HfCl4, HfClxN-((Si-CH3)3)2)4-x, 또는 TDEAH (Tetrakisdiethylamidohafnium : Hf-(N(C2H5)2)4)를 이용하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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6 |
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄 전구체는 AlR1R2R3 (R1, R2, R3는 알킬, 아미도 또는 알콕사이드 등의 여러 형태의 기능기로써, 상기 R1, R2, 및 R3 중 최소한 하나의 기능기는 알킬임)를 이용하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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7 |
7
제6항에 있어서, 상기 알루미늄 전구체는 TMA(trimethylaluminum)를 이용하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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8
제1항에 있어서, 상기 수소를 포함하는 실리콘 전구체는 HSiR3[R은 알칸(alkane), 알켄(alkene), 또는 알킨(alkyne)]을 이용하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 수소를 포함하는 실리콘 전구체는 Tris-DMAS(dimethylamidosilane : H-Si-(N(CH3)2)3)인 것을 특징으로 하는 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄 전구체를 주입하는 단계는 상기 실리콘 전구체를 주입하는 단계 전, 후 또는 전후 모두에 수행하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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기판을 포함하는 반응 챔버에 TDEAH로 이루어진 하프늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 기판 상에 하프늄-히드록시(OH) 원자층을 형성하는 단계; 상기 하프늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 TMA로 이루어진 알루미늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 상기 기판 상에 하프늄-산소-알루미늄-히드록시 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 Tris-DMAS(dimethylamidosilane: H-Si-(N(CH3)2)3)로 이루어진 실리콘 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 수소가 함입되지 않는 하프늄-산소-알루미늄-실리콘 원자층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 하프늄-히드록시 원자층 형성 단계, 상기 하프늄-산소-알루미늄-히드록시 원자층 형성 단계 및 하프늄-산소-알루미늄-실리콘 원자층 형성 단계를 사이클적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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기판을 포함하는 반응 챔버에 TDEAH로 이루어진 하프늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 기판 상에 하프늄-히드록시(OH) 원자층을 형성하는 단계; 상기 하프늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 TMA로 이루어진 알루미늄 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 상기 기판 상에 하프늄-산소-알루미늄-히드록시 원자층을 형성하는 단계; 상기 금속-산소-알루미늄-히드록시 원자층이 형성된 반응 챔버에 Tris-DMAS(dimethylamidosilane: H-Si-(N(CH3)2)3)로 이루어진 실리콘 전구체, 퍼지 가스, 산화제 및 퍼지 가스를 순차적으로 주입하여 수소가 함입되지 않는 하프늄-산소-알루미늄-실리콘 원자층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 하프늄-히드록시 원자층 형성 단계, 상기 하프늄-산소-알루미늄-히드록시 원자층 형성 단계 및 하프늄-산소-알루미늄-실리콘 원자층 형성 단계를 사이클적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학 증착법에 의한 금속 실리 알루미네이트 박막의 제조방법
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