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유리 기판 상에 형성된 양극;상기 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성되고, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 양극은 ITO막으로 구성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성하고, 상기 발광층은 Alq3로 구성하고, 상기 음극은 Al막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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유리 기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 전이 금속층으로 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층에 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;상기 산소 플라즈마 처리된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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6
제4항에 있어서, 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 5∼1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층을 Ir막으로 형성할 경우, 상기 Ir막은 10∼30Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층을 Ru막으로 형성할 경우, 상기 Ru막은 10∼20Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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9
제4항에 있어서, 상기 양극을 형성한 후 상기 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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10
제4항에 있어서, 상기 양극은 ITO막으로 형성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성하고, 상기 발광층은 Alq3로 형성하고, 상기 음극은 Al막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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유리 기판 상에 형성되고, ITO막으로 구성된 양극;상기 양극 상에 형성되고, Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co의 전이 금속층으로 구성되고, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성되고, α-NPD로 구성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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유리 기판 상에 ITO막으로 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co의 전이 금속층으로 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층에 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;상기 산소 플라즈마 처리된 정공 주입층 상에 α-NPD로 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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