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II-VI 화합물 코어; 상기 II-VI 화합물 코어의 표면에 형성되며, 상기 II-VI 화합물 코어의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 II-VI 화합물 제1쉘; 및 상기 II-VI 화합물 제1쉘의 표면에 형성되며, 상기 II-VI 화합물 제1쉘의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 II-VI 화합물 제2쉘 을 갖는, I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점
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제1항에 있어서, 상기 I형 적층 구조 코어/2중 쉘이 I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘, I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화카드뮴 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘, I형 적층 구조 텔루르화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘 및 I형 적층 구조 텔루르화카드뮴 화합물 코어/텔루르화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점
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제1항에 있어서, 상기 I형 적층 구조 코어/2중 쉘이 I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점
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유기 용매 중에서 II족 원소-함유 화합물과 VI족 원소-함유 화합물을 반응시켜 II-VI 화합물 코어를 형성하는 단계; 상기 II-VI 화합물 코어의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 형성할 수 있는 II족 원소-함유 화합물과 VI족 원소-함유 화합물을 반응시켜, 상기 II-VI 화합물 코어의 표면에 II-VI 화합물 제1쉘을 형성하는 단계; 및 상기 II-VI 화합물 제1쉘의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 형성할 수 있는 II족 원소-함유 화합물과 VI족 원소-함유 화합물을 반응시켜, 상기 II-VI 화합물 제1쉘의 표면에 II-VI 화합물 제2쉘을 형성하는 단계 를 포함하는, I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 I형 적층 구조 코어/2중 쉘이 I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘, I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화카드뮴 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘, I형 적층 구조 텔루르화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘 및 I형 적층 구조 텔루르화카드뮴 화합물 코어/텔루르화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 I형 적층 구조 코어/2중 쉘이 I형 적층 구조 셀렌화카드뮴 화합물 코어/셀렌화아연 화합물 제1쉘/황화아연 화합물 제2쉘인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 유기 용매 중에서 카드뮴-함유 화합물과 셀레늄-함유 화합물을 반응시켜, 셀렌화카드뮴 코어를 형성하는 단계; 상기 셀렌화카드뮴 코어의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 형성할 수 있는 아연-함유 화합물과 셀레늄-함유 화합물을 반응시켜, 상기 셀렌화카드뮴 코어의 표면에 셀렌화아연 제1쉘을 형성하는 단계; 및 상기 셀렌화아연 제1쉘의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 형성할 수 있는 아연-함유 화합물과 황-함유 화합물을 반응시켜, 상기 셀렌화아연 제1쉘의 표면에 황화아연 제2쉘을 형성하는 단계 를 포함하는, I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 II-VI 화합물 코어를 형성하는 상기 II족 원소-함유 화합물이 산화카드뮴(CdO)-테트라데실포스포닉 산 착물인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 II-VI 화합물 코어 및 상기 II-VI 화합물 제1쉘을 형성하는 상기 VI족 원소-함유 화합물이 셀레늄/트리옥틸포스핀(TOPSe)인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 II-VI 화합물 제1쉘 및 상기 II-VI 화합물 제2쉘을 형성하는 상기 II족 원소-함유 화합물이 스테아린산아연(zinc stearate)인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 II-VI 화합물 제2쉘의 상기 VI족 원소-함유 화합물이 헥사데실디실라싸이엔((TMS)2S)인 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 셀렌화카드뮴 코어를 형성하는 단계가 250 - 300℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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삭제
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제6항에 있어서, 상기 셀렌화카드뮴 코어 표면 상에 상기 셀렌화아연 제1쉘을 형성하는 단계가 130 - 180℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 셀렌화아연 제1쉘의 표면 상에 상기 황화아연 제2쉘을 형성하는 단계가 120 - 170℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점의 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점을 이용한 생체 내 분자의 발광 표지
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점을 이용한 전자 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 I형 적층 구조 코어/2중 쉘 양자점을 이용한 전자 소자
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