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비닐(vinyl)계 폴리머와 그 유도체 폴리머, 비닐계가 아닌 폴리머와 그 유도체 폴리머 중에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 표면을 처리하는 반도체 나노막대
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제1항에 있어서, 상기 폴리머은 절연물인 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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제1항에 있어서, 상기 폴리머의 비저항은 0
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 비닐계가 아닌 폴리머는 폴리에테르(polyether)계, 폴리설파이드(polysulfide)계, 폴리카보네이트(polycarbonate)계, 폴리아미드(polyamide)계, 페놀-포름알데히드(phenol-formaldehyde)계, 폴리우레아(polyurea) 계, 폴리이미드(polyimide)계인 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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7
제1항에 있어서, 상기 폴리머는 상기 나노막대에 코팅하거나 폴리머을 포함한 용액에 함침하여 흡착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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8
제7항에 있어서, 상기 폴리머는 1시간 내지 30시간 동안 함침하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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제7항에 있어서, 상기 폴리머은 80℃ 내지 100℃에서 30분~1시간30분간 건조시키는 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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10
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노막대의 직경은 1 내지 500 nm이고 길이는 5 nm 내지 50 ㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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11
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 ZnO, CdO, In2O3, MgO, Al2O3, AlN, InN, GaN, Si, AlP, InP, GaP, InAs, GaAs, AlAs, InSb, GaSb, ZnSe, ZnS, CdS, CdSe, BiSb 및 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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12
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노막대는 Mg, Zn, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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제1항에 있어서, 반도체 나노막대는 적어도 1층 이상으로 코팅된 다중벽 구조, 양자우물 혹은 초격자 구조, p-n 접합 구조, 이종접합 구조 및 동종접합 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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14
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노막대는 전계트랜지스터, 쇼트키(schottky)다이오드, p-n 접합 다이오드, 발광소자, 센서, 로직회로, 나노시스템, 집적회로 및 광소자에 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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제1항에 있어서, 상기 비닐계 폴리머와 그 유도체는 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride), 폴리에틸렌(polyethelene), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리아크릴로나이트라이드(polyacrylonitride), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide) 및 그 유도체인 것을 특징으로 하는 반도체 나노막대
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