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유리 기판 상에 양극 반사층으로 구성된 양극; 상기 양극 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 양극을 구성하는 양극 반사층은 Ag, Al, Cu, Au, Pd, Pt, Li, Mg, K, Zn, Na 또는 이들의 조합막을 이용하여 구성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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3
제1항에 있어서, 상기 유리 기판 상에 접착층이 더 형성되어 상기 접착층과 양극 반사층으로 양극을 구성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 양극 반사층은 Ag, Al, Cu, Au, Pd, Pt, Li, Mg, K, Zn, Na 또는 이들의 조합막으로 구성하고, 상기 접착층은 Cr, Ti, 또는 Pd를 이용하여 구성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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5
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 Al/CuPc, CuPc/Al 또는 Al/CuPc/Al로 구성하고, 상기 음극은 ITO막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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6
제1항에 있어서, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성하고, 상기 발광층은 Alq3로 구성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드
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7
유리 기판 상에 양극 반사층으로 이루어진 양극을 형성하는 단계; 상기 양극 반사층으로 이루어진 양극을 산소 플라즈마나 오존 처리를 하는 단계; 상기 오존 처리된 양극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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8
제7항에 있어서, 상기 양극을 구성하는 양극 반사층은 Ag, Al, Cu, Au, Pd, Pt, Li, Mg, K, Zn, Na 또는 이들의 조합막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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9
제7항에 있어서, 상기 양극 반사층을 형성하기 전에 상기 유리 기판 상에 접착층을 더 형성하여 상기 접착층과 양극 반사층으로 양극을 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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10
제9항에 있어서, 상기 양극 반사층은 Ag, Al, Cu, Au, Pd, Pt, Li, Mg, K, Zn, Na 또는 이들의 조합막으로 형성하고, 상기 접착층은 Cr, Ti, 또는 Pd로 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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11
제7항에 있어서, 상기 버퍼층은 Al/CuPc, CuPc/Al 또는 Al/CuPc/Al로 형성하고, 상기 음극은 ITO막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성하고, 상기 발광층은 Alq3로 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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12
제7항에 있어서, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성하고, 상기 발광층은 Alq3로 형성하는 것을 특징으로 하는 전면 방출형 유기 발광 다이오드의 제조방법
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