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활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서,높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역;상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection)과 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하고,상기 제1 층 및 상기 제2 층은 AlxGa1-xAs층을 포함하며,상기 발광 소자는 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은 보통 수 um 이상의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자의 제조방법에 있어서,(a) 소정의 기판(substrate)위에 활성영역을 포함하여 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR) 및 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR)을 수평방향으로 에피텍셜 성장시키는 단계; (b) 상기 기판의 수직방향으로 소정의 직경을 가지는 다수의 홀들(holes)을 식각하는 단계; 및 (c) 상기 홀들(holes) 사이를 격리시키기 위해 상기 홀들(holes) 사이에 이온 주입(ion implantation)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 AlxGa1- xAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제4항에 있어서, 상기 홀들의 직경은 보통 수 um 이상의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자 어레이에 있어서
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제8항에 있어서, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은보통 수 um 이상의 크기를 가지며, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 AlxGa1-xAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 어레이
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제8항에 있어서, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은보통 수 um 이상의 크기를 가지며, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 AlxGa1-xAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 어레이
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