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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,실리콘 기판을 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)를 알코올에 용해시킨 촉매 용액에 담지시킨 후 건조시키는 과정으로 상기 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과,상기 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 촉매 용액은, 0
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제 4 항에 있어서, 상기 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)는, 철염이나 금, 혹은 니켈 중 어느 하나를 증발시켜 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)는, 1000℃∼1200℃ 영역의 온도에서 촉매로 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판을 촉매 용액에 담지시킨 후 촉매의 균일한 분포를 위해서 70℃의 오븐에서 10분간 건조시키는 과정으로, 상기 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과,상기 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더을 1:1∼1:6의 몰 비율을 사용하는 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 혼합물은, 촉매가 도포된 실리콘 기판과 아르곤 가스가 유입되는 곳 사이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,상기 오븐에 나노선 합성을 위한 400∼500 sccm 유량의 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 오븐을 기세팅된 1000℃∼1200℃ 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 일정 시간은, 상기 기세팅된 1100℃까지 1시간 동안 가열한 다음 3시간 동안 기세팅된 1100℃를 유지시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 탄소의 원료로 사용하는 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,상기 도포된 실리콘 기판을 탄소의 원료로 사용하는 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법
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