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기판; 및 상기 기판 상에 형성되고 ZnO 또는 TiO2를 포함하는 산화물계 나노 소재로 이루어진 기재를 포함하되,상기 산화물계 나노 소재는 다중벽 구조를 갖는 나노바늘, 다중벽 구조를 갖는 나노막대 또는 다중벽 구조를 갖는 나노튜브 형태인 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 석영 기판, 파이렉스 기판, 사파이어 기판 및 플라스틱 기판으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 다중벽 구조의 산화물계 나노 소재는 ZnO 및 TiO2를 각각 포함하는 이중벽 구조로 된 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재는 산화물 반도체 나노막대 상에 금속을 증착하여 형성한 금속/산화물반도체의 이종 접합구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제6항에 있어서, 상기 금속은 상기 산화물 반도체 나노막대 상에 스퍼터링법이나 열 또는 전자빔 증발법에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제6항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 ZnO를 포함하며, 상기 금속으로 Ni, Pt, Pd, Au, Ag, W, Ti, Al, In, Cu, PtSi 및 NiSi으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재는 상기 기판 상에 수직으로 배향된 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재는 유기금속 화학기상증착법, 스퍼터링법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스 레이저 증착법, 기상 이송법 및 화학적 합성 중 어느 하나에 의해 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재의 직경은 5 ~ 200nm이고, 길이는 0
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재가 ZnO를 포함할 경우에 ZnO 외에 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 산화물계 나노 소재가 ZnO를 포함할 경우에 그 산화물계 나노 소재는 MgO, CdO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP 또는 이들의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물로 코팅된 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서, 상기 산화물계 나노 소재가 TiO2를 포함할 경우에 TiO2 외에 Mg, Cd, Zn, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매
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제1항에 있어서,상기 산화물계 나노 소재가 TiO2를 포함할 경우에 그 산화물계 나노 소재는 MgO, CdO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP 또는 이들의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물로 코팅된 것을 특징으로 하는 광촉매
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