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a) i) 그물망구조의 유기 고분자 중심 입자, 및 상기 유기 고분자 중심 입자를 둘러싸며, 실세스퀴옥산 전중합체로 이루어진 껍질층을 포함하는 중심-껍질 구조의 나노입자와 ii) 실리케이트 고분자를 혼합하고 졸-겔 반응시키는 단계; 및b) 상기 졸-겔 반응 후에 열처리하여 미세 기공을 형성시키는 단계를 포함하는 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 입자의 입경이 2 내지 120 nm인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 유기 고분자 중심 입자는 입경이 1 내지 100 nm인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그물망 구조의 유기 고분자 중심 입자는 i) 둘 이상의 비닐기를 가지는 다관능성 불포화 단량체로부터 중합되거나, 또는 ii) 둘 이상의 비닐기를 가지는 다관능성 불포화 단량체와 하나의 비닐기를 가지는 불포화 단량체로부터 중합되는 것인 저유전 절연막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 i) 또는 ii)의 둘 이상의 비닐기를 가지는 다관능성 불포화 단량체는 디비닐벤젠, 트리비닐벤젠, 디비닐피리딘, 디비닐나프탈렌, 디비닐자일렌, 메틸실세스퀴옥산글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리비닐사이클로헥산, 알릴메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 디비닐벤젠, 글리시딜 메타크릴레이트, 2,2-디메틸프로판 1,3-디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아클릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 200 디아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 에틸에스테르, 비스페놀A 디메타크릴레이트 에틸에스테르, 폴리에틸렌 글리콜 600 디메타크릴레이트, 폴리부탄디올디아크릴레이트, 펜타에릴트릴톨 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리에톡시 트리아크릴레이트, 글리세릴 프로필옥시 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노수산화펜타이크릴레이트, 디비닐실란, 트리비닐실란, 디메틸디비닐실란, 디비닐메틸실란, 메틸트리비닐실란, 디페닐 디비닐실란, 디비닐 페닐실란, 트리비닐페닐실란, 디비닐메틸페닐실란, 테트라비닐실란, 디메틸비닐디실록산, 폴리메틸비닐실록산, 폴리비닐수산화실록산 및 폴리페닐비닐실록산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 다관능성 불포화 단량체인 저유전 절연막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 ii) 하나의 비닐기를 가지는 불포화 단량체는 메타크릴산, 메타크릴아마이드, 메틸메타클릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 사이크로핵실메타크릴레이트, 스티렌, 알파메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메틸스틸렌, 에틸비닐벤젠, 비닐나프탈렌, 비닐자일렌, 2-비닐피리딘, 4-비닐피리딘, 2-메틸-5-비닐피리딘, 2-에틸-5-비닐피리딘, 3-메틸-5-비닐피리딘, 2,3-디메틸-5-비닐피리딘, 2-메틸-3-에틸-5-비닐피리딘, N-비닐카프로락탐, N-비닐피롤리돈, 비닐이미다졸, N-비닐카바졸, 말레이미드, N-비닐옥사졸리돈, N-비닐프탈이미드, 비닐피롤, 비닐아닐린 및 비닐파이퍼리딘으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 불포화 단량체인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 전중합체는 트리클로로실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 에틸트링톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸디에톡시실란, 에틸디메톡시실란, 비스트리메톡시실릴에탄, 비스트리에톡시실릴에탄, 비스트리에톡시실릴메탄, 비스트리에톡시실릴옥탄, 비스트리메톡시실릴헥산 및 비스트리메톡시실릴에틸벤젠로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실세스퀴옥산 단량체로부터 제조되는 것인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계는 i) 중심-껍질 구조의 나노입자와 ii) 실리케이트 고분자를 중량비 1:99 내지 50:50으로 혼합하는 것인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계의 열처리는 200 내지 500℃에서, 질소 분위기 또는 진공상태로 실시하는 것인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리케이트 고분자는 메틸실세스퀴옥산, 에틸실세스퀴옥산 및 하이드로젠실세스퀴옥산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실리케이트 고분자인 저유전 절연막의 제조방법
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제10항에 있어서 상기 실리케이트 고분자는 트리클로로실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸디에톡시실란, 에틸디메톡시실란, 비스트리메톡시실릴에탄, 비스트리에톡시실릴에탄, 비스트리에톡시실릴메탄, 비스트리에톡시실릴옥탄, 비스트리메톡시실릴헥산, 비스트리에톡시실릴에틸벤젠 및 비스트리메톡시실릴에틸벤젠으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 단량체로부터 유도되는 반복단위를 포함하는 실리케이트 고분자인 저유전 절연막의 제조방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되며, 실세스퀴옥산 전중합체와 실리케이트 고분자의 복합체를 포함하고, 미세 기공을 포함하는 저유전 절연막
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제12항에 있어서, 상기 기공의 크기는 100 nm 이하인 저유전 절연막
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