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입자 분사기의 분사노즐을 고체 기재의 표면과 대향하도록 위치시키는 단계; 상기 입자 분사기를 구동하여 미세입자를 상기 고체 기재의 표면에 분사하여 친수성을 갖도록 미세요철을 형성하는 단계; 및상기 미세요철이 형성된 고체 기재의 표면을 친수성이 향상되도록 양극산화 가공 처리하여 직경에 비해 깊이가 더 깊은 극미세 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법
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제 4 항에 있어서,상기 고체 기재는 알루미늄(Al) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 입자 분사기는 모래 입자를 분사하는 샌드 블라스터(sand blaster)인 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 입자 분사기는 미세 금속구를 분사하는 입자 분사기인 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법
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표면의 일부에 미세요철이 형성된 친수성부; 및표면의 다른 일부에 미세요철이 형성되고, 그 위로 비젖음성 물질이 코팅된 소수성부를 함께 포함하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재
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제 9 항에 있어서,상기 친수성부는 입자 분사기로 미세 입자를 표면에 분사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재
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제 9 항에 있어서,상기 비젖음성 물질은 PTFE (Polytetrahluoroethylene), FEP (Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA (Perfluoroalkoxy), SAM (Self assembled monolayer)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재
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표면의 일부에 형성되는 미세요철부; 및상기 미세요철부에 이보다 더 작은 크기로 형성되어 친수성을 향상시키며, 직경에 비해 깊이가 더 깊은 극미세 홀을 포함하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재
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제 12 항에 있어서,상기 미세요철부는 입자 분사기로 미세입자를 표면에 분사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 극미세 홀은 양극 산화 가공 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재
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입자 분사기의 분사노즐을 고체 기재의 표면과 대향하도록 위치시키는 단계; 상기 입자 분사기를 구동하여 미세입자를 상기 고체 기재의 표면에 분사하여 친수성을 갖도록 미세요철을 형성하는 단계;상기 미세요철이 형성된 고체 기재의 표면을 친수성이 향상되도록 양극산화 가공 처리하여 직경에 비해 깊이가 더 깊은 극미세 홀을 형성하는 단계; 및상기 미세요철이 형성된 고체 기재 표면의 일부분을 소수성을 갖도록 비젖음성 물질로 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 미세요철이 형성된 친수성부에, 상기 미세요철보다 더 작은 크기로 형성되어 친수성을 향상시키며, 직경에 비해 깊이가 더 깊은 극미세 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재
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제 16 항에 있어서,상기 극미세 홀은 양극산화 가공 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재
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