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스퍼터링증착법을 이용한 산화아연막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186968
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, ZnO막을 형성하는 방법을 제공한다. ZnO타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계; 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계; 전원을 상기 스퍼터링장치에 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 플라즈마의 작용에 의하여 25∼350℃온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1∼200Å두께로 증착하는 단계; 및 상기 증착단계이후에 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 의 두께로 증착하는 단계를 포함한다.스퍼터링증착, ZnO막, 25∼350℃, 400∼700℃
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020010010912 (2001.03.02)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0399763-0000 (2003.09.17)
공개번호/일자 10-2002-0070716 (2002.09.11) 문서열기
공고번호/일자 (20030926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.03.02)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 제정호 대한민국 경상북도포항시남구
2 김인우 대한민국 경상북도포항시남구
3 김현승 대한민국 경기도고양시일산구
4 도석주 대한민국 대구광역시수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최홍순 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)(특허법인세신)
2 조성욱 대한민국 서울시 강남구 역삼동 ***-* 옥신빌딩 *층(성화국제특허법률사무소)
3 김경철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)(특허법인세신)
4 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2001-0046494-13
2 보정통지서
Request for Amendment		 2001.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2001-0015998-90
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2001-5097275-44
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2002-0032499-67
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0033385-67
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.03.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0098859-17
8 의견서
Written Opinion		 2003.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0098860-53
9 보정통지서
Request for Amendment		 2003.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0021333-14
10 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2003.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0118820-07
11 등록결정서
Decision to grant		 2003.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0329612-46
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 사파이어 기판에 ZnO막을 형성하는 방법으로서:

상기 사파이어 기판의 온도를 25∼350℃로 유지하면서 상기 사파이어 기판 상에 2차원 성장된 1차 ZnO막을 형성하는 저온 증착 단계; 및

상기 사파이어 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막 상에 2차 ZnO막을 형성하는 고온 증착 단계를 포함하는 스퍼터링증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 1차 ZnO막은 1∼200Å인 스퍼터링증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.