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기판 위에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 질화물계 반도체층을 메사 에칭(mesa etching)에 의해 패터닝하여 소자 분리하는 단계와, 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 Ir 함유 금속층을 형성하는 단계와, 상기 Ir 함유 금속층을 열처리하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 제1 질화물계 화합물을 성장시켜 제1 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 반도체층 위에 상기 제1 질화물계 화합물과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 화합물을 성장시켜 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 제1 질화물계 화합물은 GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 제2 질화물계 화합물은 AlGaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 오믹 금속층을 형성하는 단계와, 상기 오믹 금속층을 RTP(rapid thermal processing)로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 오믹 금속층은 Ti/Al/Ni/Au의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 오믹 금속층의 열처리는 600 ∼ 800℃의 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 오믹 금속층의 열처리는 불활성 가스 분위기하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 200 ∼ 600℃의 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층은 Ir 또는 Ir 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제28항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층은 Ir, Ir/Au, Ir/Pt 또는 Ir/Ni로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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기판 위에 질화물계 반도체층으로 이루어지는 채널층을 형성하는 단계와, 상기 채널층 위에 오믹 전극을 형성하는 단계와, 상기 채널층 위에 Ir 함유 금속층을 형성하는 단계와, 상기 Ir 함유 금속층을 열처리하여 쇼트키 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HFET(heterostructure field effect transistor) 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 제1 질화물계 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 질화물계 반도체층 위에 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제32항에 있어서, 상기 제1 질화물계 반도체층은 GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제32항에 있어서, 상기 제2 질화물계 반도체층은 AlGaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 오믹 전극을 형성하는 단계는 상기 채널층 위에 오믹 금속층을 형성하는 단계와, 상기 오믹 금속층을 RTP(rapid thermal processing)로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제35항에 있어서, 상기 오믹 금속층은 Ti/Al/Ni/Au의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제35항에 있어서, 상기 오믹 금속층의 열처리는 600 ∼ 800℃의 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제35항에 있어서, 상기 오믹 금속층의 열처리는 불활성 가스 분위기하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 200 ∼ 600℃의 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제30항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층은 Ir 또는 Ir 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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제43항에 있어서, 상기 Ir 함유 금속층은 Ir, Ir/Au, Ir/Pt 또는 Ir/Ni로 이루어지는 것을 특징으로 하는 HFET 소자의 제조 방법
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