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소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법

  • 기술번호 : KST2015187004
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기재 표면에 친수성 코팅층을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기재를 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재의 표면에 양이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 코팅층이 형성된 상기 기재를 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 코팅층 위에 음이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 것을 포함하는, 본 발명의 재료 표면의 친수화 코팅 방법에 따르면, 기재의 크기와 형태에 대한 제약 없이 무기 재료뿐만 아니라 플라스틱, 고무 등의 고분자 재료의 기재에도 친수성 코팅층을 형성할 수 있다.
Int. CL B05D 5/00 (2006.01)
CPC B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01) B05D 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020010068444 (2001.11.05)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0439580-0000 (2004.06.29)
공개번호/일자 10-2003-0037421 (2003.05.14) 문서열기
공고번호/일자 (20040712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손병혁 대한민국 경상북도포항시남구
2 김태현 대한민국 전라북도군산
3 김현수 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2001-0286127-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0036479-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0430898-23
5 의견서
Written Opinion
2003.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0507617-58
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0507624-78
7 등록결정서
Decision to grant
2004.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0145577-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

고분자 기재를 폴리(알릴아민하이드로클로라이드)(PAH), 폴리아닐린(PAN) 및 폴리(디알릴디메틸)아민(PADA) 중에서 선택된 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재 표면에 양이온 고분자 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 고분자 코팅층이 형성된 상기 기재를 폴리(아크릴산)(PAA), 폴리(메타크릴산)(PMA) 및 폴리(타이오펜아세트산)(PTAA) 중에서 선택된 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 고분자 코팅층 위에 음이온 고분자 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 단계를 포함하는, 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법

2 2

제1항에 있어서,

고분자 수용액의 농도가 0

3 3

제1항에 있어서,

침지 공정이 5분 내지 2시간 동안 수행됨을 특징으로 하는 방법

4 4

삭제

5 5

제1항에 있어서,

양이온 고분자 용액과 음이온 고분자 용액에의 침지, 세척 및 건조 과정을 원하는 두께의 친수성 코팅층이 얻어질 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.