| 1 |
1
레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서,레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계;상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 기재의 재질은 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 재질인 유리, 석영(quartz), 실리콘, GaAs, InP 및 산화물 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법
|
| 4 |
4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 레이저의 파장 에너지는 상기 나노막대의 밴드갭과 상기 기재의 밴드갭 사이에 있는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법
|
| 5 |
4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 레이저의 파장 에너지는 상기 나노막대의 밴드갭과 상기 기재의 밴드갭 사이에 있는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법
|
