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국부 전기화학석출법을 이용한 치밀한 품질의 높은종횡비의 미세구조물을 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015187100
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)을 이용한 높은 종횡비를 갖는 3차원 미세 물체를 제조하는 방법으로서, 전도성 미세 전극을 간격 형성을 위해 전도성 기판 표면부근에 위치시키는 단계; 상기 전도성 미세전극과 상기 전도성 기판 표면이 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; 상기 3차원 물체를 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 상기 전도성 전극과 상기 3차원 물체사이의 최적 거리를 선정하는 단계; 및 상기 최적공정 조건 하에서 산출된 미세 전극과 3차원 물체사이의 거리를 일정하게 유지하면서, 상기 전도성 전극을 이동시키는 단계를 포함한다. 미세전극과 상기 3차원 물체사이의 최적거리는 코우히어런트 X-선을 이용한 미세 방사학적 장치를 이용하여 확인되며, 전도성 전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해진다. LECD, 전극, 전도성 표면, 코우히어런트 X-선, 미세방사학적 장치
Int. CL C25D 21/12 (2006.01)
CPC C25D 5/02(2013.01) C25D 5/02(2013.01)
출원번호/일자 1020040035313 (2004.05.18)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0605545-0000 (2006.07.20)
공개번호/일자 10-2005-0110344 (2005.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20060731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설승권 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 제정호 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 후, 유광 대만 대만, 타이페이, 난강,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0209456-26
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0273083-34
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2005-0063369-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0039894-38
6 의견서
Written Opinion		 2006.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0200195-29
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0200193-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0392098-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1
국부 전기화학석출법을 이용한 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법으로서, (a) 팁 형태의 미세전극을 전도성 기판의 표면 부근에 위치시키는 단계; (b) 상기 미세전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기화학적으로 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; (c) 미세구조물을 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 상기 미세전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; (d) 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의, 상기 미세구조물이 치밀하게 성장할 수 있도록 하는 최적 거리를 선정하는 단계; 및 (e) 상기 치밀한 미세구조물이 높은 종횡비를 갖도록, 상기 최적 거리를 유지하면서 상기 미세전극을 이동시키는 단계를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 단계(d)에서의 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의 상기 최적거리는 영상수집장치를 이용하여 확인되는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 영상수집장치는 미세방사학적 장치인 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 미세전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해지는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 미세구조물은 전기석출 가능한 금속, 중합체 및 반도체로 이루어진 그룹에서 적어도 부분적으로 선택되는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 미세방사학적 장치는 X-선빔 소스, 샘플 스테이지 및 이미지 검출장치를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 최적 거리는 상기 미세구조물이 치밀한 조직에서 다공성 조직으로 전이되는 시점에서의 상기 미세구조물과 상기 미세전극 사이의 거리인 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 최적 거리는 상기 미세구조물이 치밀한 조직에서 다공성 조직으로 전이되는 시점에서의 상기 미세구조물과 상기 미세전극 사이의 거리인 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.