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기판 상에 형성된 n-GaN막;상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막;상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 선택적으로 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하도록 마련된 트랜치 내에 형성된 n형 전극;상기 p-GaN막 상에 형성된 p형 전극;상기 n형 전극 및 p형 전극의 표면 일부에 형성된 본딩 금속 패턴; 및 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자
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2
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(sapphire), MgO, ZnO, LiGaO2, Si 또는 GaAs로 구성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자
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3
제1항에 있어서, 상기 활성층은 InGaN막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자
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삭제
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5
제1항에 있어서, 상기 n-GaN막과 활성층 사이에는 n-AlGaN막으로 이루어진 제1 배리어막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자
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6
제1항에 있어서, 상기 활성층과 p-GaN막 사이에는 p-AlGaN막으로 이루어진 제2 배리어막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자
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7
기판 상에 n-GaN막을 형성하는 단계;상기 n-GaN막 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p-GaN막을 형성하는 단계;상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하는 트랜치를 형성하는 단계;상기 노출된 n-GaN막과 p-GaN막 상에 각각 n형 전극 및 p형 전극을 형성하는 단계; 상기 n형 전극 및 p형 전극의 표면 일부에 본딩 금속 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 반사 억제층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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8
제7항에 있어서, 상기 활성층은 InGaN막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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삭제
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제7항에 있어서, 상기 반사 억제층은 상기 트랜치의 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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11
제7항에 있어서, 상기 n-GaN막 상에 n-AlGaN막으로 이루어진 제1 배리어막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 활성층 상에 p-AlGaN막으로 이루어진 제2 배리어막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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12
제7항에 있어서, 상기 활성층 상에 p-AlGaN막으로 이루어진 제2 배리어막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법
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