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반도체 광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015187107
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 청색 및 자외선 발광/수광 소자(LED), 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용할 수 있는 산화아연(ZnO) 및 산화아연 관련화합물(Zn1-xMgxO,Zn1-xCdxO; x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 박막층을 실리콘 옥사이드(SiO2), 쿼츠(quartz), 글래스(glass) 같은 비정질 또는 다결정 기판 위에 성장시킴으로써 저렴한 비용으로 품질과 발광효율이 우수한 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있도록 하는 반도체 광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명 방법은, 청색 및 자외선 발광/수광 소자, 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용되는 소정의 박막층을 비정질 또는 다결정 기판상에 성장시키는 공정에서 산화아연(ZnO)을 버퍼층으로 삽입시켜 이용하는 공정을 포함하여 된 것을 특징으로 하고; 본 발명 반도체 광소자는, 비정질 또는 다결정 기판상에 청색 및 자외선 발광/수광 소자, 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용되는 ZnO 또는 Zn1-xMgxO, Zn1-xCdxO 같은 ZnO 관련화합물이 박막층으로 성장되어 형성된 반도체 광소자에 있어서, 상기 기판과 상기 박막층 사이에 상기 박막층의 성장시 버퍼층으로 작용하는 ZnO 버퍼층이 개재되어 형성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020010068812 (2001.11.06)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0037563 (2003.05.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박원일 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2001-0287460-13
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0298467-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0334740-00
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0479551-88
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

반도체 광소자 제조방법에 있어서,

청색 및 자외선 발광/수광 소자, 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용되는 소정의 박막층을 비정질 또는 다결정 기판상에 성장시키는 공정에서 산화아연(ZnO)을 버퍼층으로 삽입시켜 이용하는 공정을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 청색 및 자외선 발광/수광 소자, 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용되는 소정의 박막층은,

산화아연(ZnO) 박막층, 산화아연 관련화합물 박막층, GaN 박막층, GaN 관련화합물 박막층 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 산화아연 관련화합물은 Zn1-xMgxO(x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 또는 Zn1-xCdxO(x는 0 ≤x ≤1 인 실수)이고,

상기 GaN 관련화합물은 AlxGa1-xN(x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 또는 InxGa1-xN(x는 0 ≤x ≤1 인 실수)인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 비정질 기판은,

실리콘 옥사이드(SiO2), 쿼츠(quartz), 글래스(glass) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층이 Zn1-xMgxO, Zn1-xCdxO(x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 같은 산화아연 관련화합물로 된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 제조방법

6 6

비정질 또는 다결정 기판상에 청색 및 자외선 발광/수광 소자, 디스플레이 소자의 발광층 및 전류 공급층에 사용되는 ZnO 또는 Zn1-xMgxO, Zn1-xCdxO(x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 같은 ZnO 관련화합물이 박막층으로 성장되어 형성된 반도체 광소자에 있어서,

상기 기판과 상기 박막층 사이에 상기 박막층의 성장시 버퍼층으로 작용하는 ZnO 버퍼층이 개재되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자

7 7

비정질 또는 다결정 기판상에 형성된 ZnO 또는 Zn1-xMgxO, Zn1-xCdxO(x는 0 ≤x ≤1 인 실수) 같은 ZnO 관련화합물의 박막층을 포함하는 반도체 소자에 있어서,

상기 기판과 상기 박막층 사이에 ZnO 버퍼층이 개재되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.