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기판 상에 부착되고 선천성으로 초전도층과 절연층의 조셉슨 접합의 층상 구조로 이루어지고, 전체적으로는 단상 구조로 이루어지는 초전도체 단결정; 상기 초전도체 단결정의 하면 및 상면에 형성되고 분할되어 있는 금층; 상기 초전도체 단결정의 하면의 분할된 금층에 전기적으로 분리되어 부착되고 상기 기판 상에 위치하는 제1 전압 전극 및 제1 전류 전극; 상기 초전도체 단결정의 상면의 금층에 전기적으로 분리되어 부착된 제2 전압 전극 및 제2 전류 전극; 및 상기 제1 전압 전극 및 제1 전류 전극의 일부면과 상기 제2 전압 전극 및 제2 전류 전극이 노출되도록 상기 기판 상에 형성된 층간 절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조
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제1항에 있어서, 상기 제1 전류 전극 및 제2 전류 전극이 각각 제1 전압 전극 및 제2 전압 전극보다 큰 면적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조
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제1항에 있어서, 상기 초전도체 단결정은 Bi2Sr2CaCu2O8+x계 단결정으로 구성하고, 상기 Bi2Sr2CaCu2O8+x계 단결정은 선천적으로 1
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제1 기판 상에 선천성으로 초전도층과 절연층의 조셉슨 접합의 층상 구조로 이루어지는 초전도체 단결정을 고정시키는 단계; 상기 초전도체 단결정 표면에 제1 금층을 형성하는 단계; 상기 제1 금층 및 초전도체 단결정을 패터닝하여 제1 기판 상에는 넓은 면적으로 초전도체 단결정 기저부, 좁은 면적의 초전도체 단결정 단상부 및 패터닝된 제1 금층을 형성하는 단계; 상기 제1 금층을 4단자 측정이 가능하도록 분할하는 단계; 상기 분할된 제1 금층 상에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전류 전극 및 제1 전압 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 기판을 뒤집어 최상층에 위치하는 제1 전류 전극 및 제1 전압 전극을 제2 기판에 부착하여 고정하는 단계; 상기 제1 기판을 떼어내면서 상기 초전도체 단결정 기저부도 떼어내어 상기 초전도체 단결정 단상부의 배면이 노출되는 단계; 상기 초전도체 단결정 단상부의 배면 상에 제2 금층을 증착하는 단계; 상기 제2 금층을 4단자 측정이 가능하도록 분할하는 단계; 상기 제1 전압 전극 및 제1 전류 전극의 일부면이 노출되도록 상기 제2 기판 상에 층간 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 분할된 제2 금층 상에 각각 전기적으로 연결되는 제2 전류 전극 및 제2 전압 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 전류 전극 및 제2 전류 전극이 각각 제1 전압 전극 및 제2 전압 전극보다 큰 면적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 초전도체 단결정은 Bi2Sr2CaCu2O8+x계 단결정으로 형성하고, 상기 Bi2Sr2CaCu2O8+x계 단결정은 선천적으로 1
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제4항에 있어서, 상기 초전도체 단결정을 제1 기판에 고정시키는 단계는, 상기 제1 기판 상에 포토레지스트(photoresist)나 폴리이미드(polyimide)를 액체 상태에서 스핀(spin)코팅하는 단계와, 상기 포토레지스트나 폴리이미드가 코팅된 상기 제1 기판 위에 초전도체 단결정을 올려놓은 후 하드 베이킹(hard baking)하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 초전도체 단결정 단상부, 초전도체 단결정 기저부, 및 패터닝된 제1 금층은 미세 패터닝(micropatterning)공정과 건식 식각(dry etching) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 초전도체 단결정 단상부의 높이는 식각시간을 조정하여 조절하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 금층 분할을 위한 식각시 상기 초전도체 단결정 단상부도 일부 식각되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 금층 분할을 위한 식각시 상기 초전도체 단결정 단상부도 일부 식각되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조의 제조방법
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