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금속 또는 준금속의 화합물 기판 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법
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기판 상부에 금속 또는 준금속의 화합물 막을 형성하는 단계; 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 기판은 전자기파를 흡수하지 않는 기판이거나, 금속 또는 준금속의 화합물 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass) 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어진 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속이거나, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어진 단일층 또는 복수층의 막인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 금, 철, 니켈, 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 증착, 스퍼터링, 페인팅, 분사, 또는 함침 방법에 의해서 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 도입된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부의 전부 또는 일부에 막(film) 또는 입자 형태로 도입된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계는 불활성 가스 하에서 또는 불활성 가스와 수소 가스의 혼합 가스 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법
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