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AlxGa1-xAs (0≤x≤1) 에피층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계와, 상기 구조물 위에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여, H3PO4, H2O2 및 CH3OH의 혼합액으로 상기 AlxGa1-xAs 에피층을 식각하여 메사(mesa)를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 AlxGa1-xAs 에피층을 식각하는 단계에서는 물중탕 장치를 이용하여 상기 혼합액이 수용된 용기를 적어도 40℃의 온도를 유지하는 물 속에 중탕하는 상태에서 행해지며, 상기 AlxGa1-xAs 에피층을 식각하는 동안 상기 용기 내에서 상기 혼합액이 교반되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 혼합액은 H3PO4: H2O2: CH3OH = 3:1:1의 부피비를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 AlxGa1-xAs 에피층을 식각한 후, 상기 메사를 순수 (de-ionized water)로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 세척은 1 ∼ 5분 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 메사는 그 상면 형상이 실질적으로 원형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 메사는 그 상면 형상이 실질적으로 원형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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