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하기 화학식 1의 구조를 갖는 유기금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 것을 포함하는, 금속 실리케이트 박막의 증착방법: 화학식 1 (X)a-b-M-(Y-(Si(R)3)m)b 상기 식에서, M은 3가 또는 4가 금속이고; R은 C1-4의 알킬이고; X는 할로겐이고; Y는 O 또는 N이며; M이 3가 금속인 경우 a는 3이고, b는 1 내지 3의 정수이고, M이 4가 금속인 경우 a는 4이고, b는 1 내지 4의 정수이고; Y가 O인 경우 m은 1이고, Y가 N인 경우 m은 2이다
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제 1 항에 있어서, 화학식 1의 유기금속 착체가 Zr-(OSi(CH3)3)4, Zr-(N(Si(CH3)3)2)4, ZrCl2(OSi(CH3)3)2 또는 ZrCl2(N(Si(CH3)3)2)2인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 기판이 200 내지 700℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법
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하기 화학식 2의 구조를 갖는 유기금속 착체: 화학식 2 (X)a-b-M-(N(Si(R)3)2)b 상기 식에서, M, R, X, a 및 b는 제1항에서 정의한 바와 같다
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제 4 항에 있어서, Zr-(NSi(CH3)3)4 또는 ZrCl2(N(Si(CH3)3)2)2인 것을 특징으로 하는 유기금속 착체
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유기용매 중에서 하기 화학식 3 및 4의 화합물을 환류 조건하에서 반응시키는 것을 포함하는, 제 4 항 또는 제 5 항의 유기금속 착체의 제조방법: 화학식 3 Z(N(Si(R)3)2) 화학식 4 MXc 상기 식에서, R, M 및 X는 제1항에서 정의한 바와 같고; Z는 1가 금속이고; M이 3가 금속인 경우 c는 3이고, M이 4가 금속인 경우 c는 4이다
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 금속 실리케이트 박막
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제 7 항의 금속 실리케이트 박막을 게이트 절연막으로서 포함하는 반도체 소자
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