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계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015187243
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘 반도체막 위에 이산화규소 절연막을 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소로 플라즈마 처리하고, 이어서 절연막을 추가로 증착시키는 본 발명의 방법에 따르면, 반도체막과 절연막 간의 계면부 및 전이영역의 결함을 감소시키고 전기적 화학적 특성을 개선시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01)
출원번호/일자 1020020004378 (2002.01.25)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0470129-0000 (2005.01.26)
공개번호/일자 10-2003-0063989 (2003.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20050204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이시우 대한민국 경상북도포항시남구
2 이청 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0024179-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0007673-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0069200-52
5 의견서
Written Opinion		 2004.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0167619-08
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0167621-90
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0441484-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

폴리실리콘 반도체막 및 이산화규소 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 반도체막 위에 절연막을 3 내지 9 nm의 두께로 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소 플라즈마로 처리하고, 이어서 나머지 두께의 절연막을 추가로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조방법

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서,

플라즈마 처리를 100 내지 500℃ 및 0

4 4

제 1 항에 있어서,

절연막을 100 내지 500℃ 및 0

5 5

제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된, 폴리실리콘 반도체막 및 이산화규소 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.