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니트로기 또는 할로겐기로 치환된 말단 방향족 고리를 갖는 방향족 이민 분자층을 기질 상에 형성하는 단계; 소프트 X-선을 조사하여 상기 방향족 이민 분자층의 상기 치환기를 선택적으로 결합 절단시키는 단계; 및 상기 치환기가 선택적으로 결합 절단된 상기 방향족 이민 분자층을 가수분해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 수준의 패터닝 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 니트로기 또는 할로겐기로 치환된 말단 방향족 고리를 갖는 방향족 이민 분자층은, 기질상에 자기조립된 아미노실란 분자층 또는 아미노티올 분자층의 아민기와, 니트로기 또는 할로겐기로 치환된 방향족 고리를 갖는 방향족 알데히드를 반응시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 치환된 말단 고리를 갖는 방향족 알데히드는 공역화 또는 비공역화된 것임을 특징으로 하는 방법
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제3항에 있어서, 상기 치환된 말단 고리를 갖는 비공역화 방향족 알데히드가 하기 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법
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제3항에 있어서, 상기 치환된 말단 고리를 갖는 공역화 방향족 알데히드가 하기 화학식 2, 3 또는 4의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 기질이 실리카 기판 또는 금 기판인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 방향족 이민 분자층의 치환기의 선택적인 결합 절단은 소정 패턴을 갖는 광마스크를 상기 방향족 이민 분자층 상에 위치시킨 후 소프트 X-선을 조사함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 소프트 X-선이 0
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제8항에 있어서, 상기 광마스크가 존플레이트인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 얻어진 기질로서, 표면에 친수성 아미노 분자층 및 소수성 방향족 이민 분자층이 각각 나노 수준으로 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 기질
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 나노 수준의 패터닝이 형성된 기질 상에 디블럭공중합체를 코팅 및 열처리한 후, 에칭처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 나노 수준 패터닝 형성 방법
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제12항에 있어서, 디블럭공중합체가 폴리(스타이렌-블럭-메틸메타크릴레이트)인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 나노 수준의 패터닝이 형성된 기질 상에 존재하는 아민기에 단백질, DNA 또는 RNA를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오칩의 나노 수준 패터닝 형성 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 나노 수준의 패터닝이 형성된 기질 상에 존재하는 아민기에 단백질, DNA 또는 RNA를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오칩의 나노 수준 패터닝 형성 방법
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