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하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 상기 식에서, M은 하프늄(Hf) 또는 실리콘(Si)이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다
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제 1 항에 있어서, 화학식 1의 구조에서 R이 메틸이고, m이 2 또는 3임을 특징으로 하는 유기금속 착물
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하기 화학식 2의 하프늄 또는 실리콘 아미도 화합물 또는 하기 화학식 3의 하프늄 또는 실리콘 알콕사이드 화합물을 아민 화합물과 유기 용매 중에서 반응시킴을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 유기금속 착물의 제조 방법: 화학식 2 M(NR2)4 화학식 3 M(RO)4 상기 식에서, M 및 R은 제 1 항에서 정의한 바와 같다
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제 3 항에 있어서, 화학식 2 또는 3의 화합물과 아민 화합물을 1:3 내지 1:5의 몰비로 혼합하여 0 내지 100℃에서 1 내지 48 시간 동안 반응시킴을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서, 화학식 2의 화합물이, 하프늄테트라디에틸아민 및 하프늄테트라알콕사이드 중에서 선택된 1종 이상이고, 화학식 3의 화합물이 실리콘테트라디에틸아민 및 실리콘테트라알콕사이드 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 아민 화합물이 디메틸프로판올아민 및 디메틸에탄올아민 중에서 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 따른 유기 금속 착물을 전구체로 이용하여 기판 상에 하프늄 또는 실리콘 산화물계 박막을 증착하는 방법
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제 7 항에 있어서, 전구체를 150 내지 260℃ 범위의 온도에서 기화시키는 것을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 기판의 온도를 150 내지 400℃ 범위로 유지함을 특징으로 하는 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 박막이 SiO2, HfO2, 하프늄실리케이트(hafnon, HfSiO4), 지르코늄실리케이트(zircon, ZrSiO4) 또는 하프늄알루미네이트 박막인 것을 특징으로 하는 방법
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10
제 7 항에 있어서, 상기 박막이 SiO2, HfO2, 하프늄실리케이트(hafnon, HfSiO4), 지르코늄실리케이트(zircon, ZrSiO4) 또는 하프늄알루미네이트 박막인 것을 특징으로 하는 방법
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