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나노세선의 첨단에 발생된 근접장광을 이용한 근접장 광촉매에 있어서,기판, 및 상기 기판 상에 형성되고, ZnO, TiO2, GaP, ZrO2, SiCdS, KTaO2, KTaNBO, CdSe, SrTiO3, Nb2O3, Fe2O3, WO2, SaO2 또는 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 주성분으로 하는 나노소재로 이루어진 기재를 포함하며, 상기 나노소재는 나노바늘, 나노막대 또는 나노튜브를 포함하는 나노세선의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제1항에 있어서,상기 나노소재는 나노바늘의 형태인 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제2항에 있어서, 상기 산화아연 나노소재의 직경은 5-200 nm이고, 길이는 0
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 석영 기판, 파이렉스 기판, 사파이어 기판 및 플라스틱 기판으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화아연 나노소재는 상기 기판 상에 수직으로 배향된 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화아연 나노소재는 유기금속 기상성장법, 유기금속 화학기상증착법, 스퍼터링법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스 레이저 증착법, 기상 이송법 또는 화학적 합성 중 어느 하나에 의해 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화아연 나노소재는 주 성분인 산화아연 외에 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화물계 나노 소재는 MgO, CdO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP 또는 이들의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물로 코팅된 것을 특징으로 하는 근접장 광촉매
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수소를 발생시키는 방법에 있어서, 기판, 및 상기 기판 상에 나노바늘, 나노막대 또는 나노튜브의 나노세선의 형태를 하고 있으며 산화아연을 주성분으로 하는 나노소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매를 이용하는 것을 특징으로 하는 수소 발생 방법
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제9항에 있어서,상기 나노소재는 나노바늘의 형태인 것을 특징으로 하는 수소 발생 방법
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제10항에 있어서, 상기 산화아연 나노소재의 직경은 5-200 nm이고, 길이는 0
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기판, 및 상기 기판 상에 나노바늘, 나노막대 또는 나노튜브의 나노세선의 형태를 하고 있으며 산화아연을 주성분으로 하는 나노소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생 장치
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제12항에 있어서,상기 나노소재는 나노바늘의 형태인 것을 특징으로 하는 수소 발생 장치
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제13항에 있어서, 상기 산화아연 나노소재의 직경은 5-200 nm이고, 길이는 0
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폐수 또는 공기를 정화하는 방법에 있어서, 기판, 및 상기 기판 상에 나노바늘, 나노막대 또는 나노튜브의 나노세선의 형태를 하고 있으며 산화아연을 주성분으로 하는 나노소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매를 이용하는 것을 특징으로 하는 폐수 또는 공기의 정화 방법
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제15항에 있어서,상기 나노소재는 나노바늘의 형태를 하고 있는 것을 특징으로 하는 폐수 또는 공기의 정화 방법
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제16항에 있어서, 상기 산화아연 나노소재의 직경은 5-200 nm이고, 길이는 0
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기판, 및 상기 기판 상에 나노바늘, 나노막대 또는 나노튜브의 나노세선의 형태를 하고 있으며 산화아연을 주성분으로 하는 나노소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐수 또는 공기 정화 장치
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제18항에 있어서,상기 나노소재는 나노바늘의 형태를 하고 있는 것을 특징으로 하는 폐수 또는 공기 정화 장치
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제19항에 있어서, 상기 산화아연 나노소재의 직경은 5-200 nm이고, 길이는 0
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