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이종 접합 반도체 소자의 ＧａＡｓ/ＡｌＧａＡｓ 선택적 식각방법 및 이를 이용한 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015187290
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 관한 것으로서, 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 이와 같은 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법은, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성하는 단계와, GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하는 단계, 및 마스크막 패턴에 의해 상기 GaAs 캡층의 일부 표면이 노출된 개구부를 식각 용액에 담구어 상기 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 상기 GaAs 캡층을 식각하되, 상기 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3063 (2006.01)
CPC H01L 21/30612(2013.01) H01L 21/30612(2013.01) H01L 21/30612(2013.01) H01L 21/30612(2013.01) H01L 21/30612(2013.01)
출원번호/일자 1019990009348 (1999.03.19)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0283027-0000 (2000.12.04)
공개번호/일자 10-2000-0060753 (2000.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20010215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도포항시남구
2 오정우 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이상용 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)
3 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.03.19 수리 (Accepted) 1-1-1999-0023766-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2000.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.11.27 수리 (Accepted) 9-1-2000-0005887-77
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0305225-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 있어서,

습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 구연산과 시트르산 칼륨의 농도는 각각 1몰인 것을 특징으로 하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 구연산과 스트르산 칼륨을 섞은 용액과 상기 과산화수소의 부피비는 5:1-8:1인 것을 특징으로 하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법

4 4

(가) 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성하는 단계;

(나) 상기 GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하는 단계; 및

(다) 상기 마스크막 패턴에 의해 상기 GaAs 캡층의 일부 표면이 노출된 개구부를 식각 용액에 담구어 상기 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 상기 GaAs 캡층을 식각하되, 상기 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법

5 5

제5항에 있어서,

상기 구연산과 시트르산 칼륨의 농도는 각각 1몰인 것을 특징으로 하는 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법

6 6

제5항에 있어서,

상기 구연산과 스트르산 칼륨을 섞은 용액과 상기 과산화수소의 부피비는 5:1-8:1인 것을 특징으로 하는 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.