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질화물 반도체의 이종접합 구조체, 이를 포함하는나노소자 또는 이의 어레이

  • 기술번호 : KST2015187311
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체의 이종접합 구조체 및 이를 포함하는 나노소자 또는 이들의 어레이에 관한 것으로, 본 발명에 의한 이중접합 구조체는 질화물 반도체 박막 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성됨을 특징으로 하며 나노구조체의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 발광이 잘 일어나므로 특성이 우수한 발광소자를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020040009263 (2004.02.12)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0644166-0000 (2006.11.02)
공개번호/일자 10-2005-0081034 (2005.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20061110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 안성진 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0058704-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0069043-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0610914-13
5 의견서
Written Opinion		 2006.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0060873-26
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0060875-17
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0268104-14
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.07.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0021141-61
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0468935-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 반도체 박막 위에 질화물 반도체의 나노막대 또는 나노튜브가 유기화학증착법 또는 분자빔에피증착법에 의해 수직으로 성장된 구조를 가진 질화물 반도체 이종접합 구조체
2 2
제 1 항에 있어서,질화물 반도체 박막과 질화물 반도체 나노막대 또는 나노튜브의 반도체 유형이 p형과 n형 중에서 선택된 서로 다른 것임을 특징으로 하는, 이종접합 구조체
3 3
제 1 항에 있어서, 질화물 반도체 박막이 단결정 형태이거나 사파이어, 유리 또는 실리콘 기판위에 질화물 반도체가 증착된 형태임을 특징으로 하는, 이종접합 구조체
4 4
제 1 항에 있어서, 질화물 반도체 박막이 50 nm 내지 200 ㎛ 범위의 두께를 가짐을 특징으로 하는, 이종접합 구조체
5 5
제 1 항에 있어서,나노막대 또는 나노튜브가 지름이 5 nm 내지 100 nm 범위이고 길이가 5 nm 내지 100 ㎛ 범위인 것임을 특징으로 하는, 이종접합 구조체
6 6
제 1 항에 있어서, 질화물 반도체가 GaN, AlN, InN 또는 이들 성분 함유 질소 화합물로 구성된 것임을 특징으로 하는, 이종접합 구조체
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 이종접합 구조체를 이용하여 제작된 나노 소자 또는 이의 어레이
8 8
제 7 항에 따른 나노 소자 어레이를 이용한 나노시스템 또는 집적회로
9 8
제 7 항에 따른 나노 소자 어레이를 이용한 나노시스템 또는 집적회로
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20050179052 US 미국 FAMILY
2 US20070045660 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005179052 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2007045660 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.