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실리콘 기판상에 에피텍셜 다이아몬드 박막의형성방법

  • 기술번호 : KST2015187340
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 화학증착법을 이용하여 실리콘 기판상에 고배향성을 갖는 에피텍셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 기판으로서 미스컷이 1°∼30°범위인 Si〈111〉기판을 이용한다. 그리고, 반응 가스로서는 수소증의 메탄농도가 0.6%이하가 되도록 수소와 메탄을 이용한다. 증착중, 기판은 850 내지 1000℃의 온도로 유지되고 반응조는 10 내지 50 토르(Torr)의 압력으로 유지된다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C23C 16/274(2013.01) C23C 16/274(2013.01)
출원번호/일자 1019980047753 (1998.11.05)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0277077-0000 (2000.10.06)
공개번호/일자 10-2000-0031626 (2000.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 제정호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유혁주 대한민국 경기도 구리시
3 노도영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박세걸 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호 주 마크프로 (문래동*가, 에이스하이테크시티)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0391764-32
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0369840-43
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0369841-99
4 보정통지서
Request for Amendment		 1998.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1998-9000584-98
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1998.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-9001082-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.09.18 수리 (Accepted) 9-1-2000-0002850-74
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0233281-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

(가) 미스컷이 1°내지 30°범위인 Si〈111〉기판을 적용하는 단계와;

(나) 상기 기판을 마이크로웨이브 화학 증착 시스템의 반응조내에 장입하는 단계와;

(다) 상기 반응조내에, 수소와 메탄을 반응가스로서 도입하는 단계와;

(라) 상기의 반응조내에 마이크로웨이브 파워를 가하여 상기 기판상부에 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 에피텍셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 수소중의 메탄 농도는 0

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 단계(라)에서 기판의 온도는 850 내지 1000℃로 유지됨을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 에피테셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 단계(라)에서 반응조의 압력은 10-50 Torr로 유지함을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 에피택셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법

5 5

(가) 미스컷이 1°내지 30°범위인 Si〈111〉기판을 준비하는 단계와;

(나) 상기 기판을 마이크로웨이브 화학 증착 시스템의 반응조내에 장입하는 단계와;

(다) 상기의 반응조내에, 수소증의 메탄 농도가 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.