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인듐(In) 전구체, 계면활성제, 황 전구체 및 아연전구체를 유기용매에 용해시킨 후, 인(P) 전구체를 투입 속도 0
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제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 C6 ~ C24의 알킬 아민, 알코올, 케톤 에스테르, 질소 또는 황을 포함하는 헤테로 고리 화합물, 알칸, 알켄, 알킨, 트리알킬포스핀 또는 트리알킬 포스핀 옥사이드인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 인듐 원소, 이를 포함하는 질산염, 황산염, 탄산염, 할로겐화물, 아세테이트화물, 산화물 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 계면활성제는 말단에 -COOH기, -POOH기, -SOOH기 또는 -NH2기를 가진 C6 ~ C24의 알칸 또는 알켄인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 계면활성제는 올레인산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스폰산(hexyl phosphonic acid), n-옥틸 포스폰산(n-octyl phosphonic acid), 테트라데실 포스폰산(tetradecyl phosphonic acid), 옥타데실포스폰산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민(n-octylamine), 또는 헥사데실아민(hexadecyl amine)인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 인 전구체는 인 원소, 포스핀, 포스파이트 및 포스핀 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 인 전구체는 트리스(트라이알킬실릴)포스핀인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 합성 시 온도는 200 ~ 220 ℃ 인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 인듐 전구체 내의 인듐과 인 전구체 내의 인의 몰비가 1 : 0
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삭제
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제 1항에 있어서, 인듐 전구체 내의 인듐과 황 전구체 내의 황의 몰비율이 1 : 0
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제 1항에 있어서, 상기 황 전구체는 말단에 -SH기를 가진 C2 ~ C24의 알칸 또는 알켄인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 원소, 이를 포함하는 질산염, 황산염, 탄산염, 할로겐화물, 아세테이트화물, 산화물 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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15
제 1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 아세테이트인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어 합성 방법
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제 1항 내지 제 10항, 및 제 12항 내지 제15항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 인듐포스파이드(InP) 양자점 코어가 혼합된 용액에, 황 전구체 및 아연 전구체를 추가로 혼합하는 인듐포스파이드/황화아연(InP/ZnS) 코어-쉘 양자점 합성 방법
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17
제 16항에 있어서, 상기 황 전구체는 말단에 -SH기를 가진 C2 ~ C24의 알칸 또는 알켄인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드/황화아연(InP/ZnS) 코어-쉘 양자점 합성 방법
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18
제 16항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 원소, 이를 포함하는 질산염, 황산염, 탄산염, 할로겐화물, 아세테이트화물, 산화물 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드/황화아연(InP/ZnS) 코어-쉘 양자점 합성 방법
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제 16항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 아세테이트인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드/황화아연(InP/ZnS) 코어-쉘 양자점 합성 방법
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제 16항에 있어서, 쉘을 형성하기 위한 혼합 시간이 3 ~ 5 시간 동안 혼합하는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드/황화아연(InP/ZnS) 코어-쉘 양자점 합성 방법
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