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기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극;상기 제1 전극의 적어도 일부 및 상기 제2 전극의 적어도 일부와 접촉하도록 상기 기판 상에 형성되고, 산화텅스텐 입자 및 상기 산화텅스텐 입자 표면에 부착된 팔라듐 나노입자를 포함하는 복합체로 이루어진 감지층; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 감지층의 전기 전도도 변화를 측정하는 분석회로를 포함하는 수소 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 기판의 제1 변을 따라 수직방향으로 연장된 제1 전극부, 상기 제1 전극부의 상부 단부로부터 상기 제1 변에 수직한 상기 기판의 제2 변을 따라 수평방향으로 연장된 제2 전극부 및 상기 제2 전극부로부터 상기 수직방향으로 연장된 제3 전극부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 변과 대향하는 상기 기판의 제3 변을 따라 상기 수직방향으로 연장된 제4 전극부, 상기 제4 전극부의 하부 단부로부터 상기 제2 변과 대향하는 상기 기판의 제4 변을 따라 상기 수평방향으로 연장된 제5 전극부 및 상기 제5 전극부로부터 상기 수직방향을 따라 연장된 제6 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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제2항에 있어서, 상기 제3 전극부는 상기 제4 전극부와 상기 제6 전극부 사이에 배치되고, 상기 제6 전극부는 상기 제1 전극부와 상기 제3 전극부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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제3항에 있어서, 상기 제1 전극부와 상기 제6 전극부 사이의 이격간격, 상기 제6 전극부와 제3 전극부 사이의 이격간격 및 상기 제3 전극부와 제4 전극부 사이의 이격간격은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 기판의 제1 변을 따라 수직방향으로 연장된 제1 전극부, 상기 제1 전극부의 상부 단부로부터 상기 제1 변에 수직한 상기 기판의 제2 변을 따라 수평방향으로 연장된 제2 전극부 및 상기 제1 전극부의 가운데 부분으로부터 상기 수평방향으로 연장된 제3 전극부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 변과 대향하는 상기 기판의 제3 변을 따라 상기 수직방향으로 연장된 제4 전극부, 상기 제4 전극부의 하부 단부로부터 상기 제2 변과 대향하는 상기 기판의 제4 변을 따라 상기 수평방향으로 연장된 제5 전극부 및 상기 제4 전극부의 가운데 부분으로부터 상기 수평방향을 따라 연장된 제6 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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제5항에 있어서, 상기 제3 전극부는 상기 제5 전극부와 상기 제6 전극부 사이에 배치되고, 상기 제6 전극부는 상기 제2 전극부와 상기 제3 전극부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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7
제6항에 있어서, 상기 제2 전극부와 상기 제6 전극부 사이의 이격간격, 상기 제6 전극부와 상기 제3 전극부 사이의 이격간격 및 상기 제3 전극부와 상기 제5 전극부 사이의 이격간격은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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8
제1항에 있어서, 상기 복합체 전체 중량에 대해 상기 팔라듐 나노입자의 함량은 0
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9
제8항에 있어서, 상기 팔라듐 나노입자는 10 nm 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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10
제1항에 있어서, 상기 감지층의 표면을 피복하고, 수소 가스를 투과시키는 투명한 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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11
제10항에 있어서, 상기 보호층은 실록산 고분자로 형성된 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서
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산화텅스텐 입자의 분산 용액과 팔라듐 전구체 용액을 혼합하는 단계; 상기 혼합 용액을 교반하면서 자외선을 조사하여 상기 산화텅스텐 입자 표면에 부착된 팔라듐 나노입자를 형성함으로써 산화텅스텐과 팔라듐의 복합체를 형성하는 단계; 상기 복합체를 회수하는 단계; 및 상기 복합체의 분산 용액을 기판 상에 도포하는 단계를 포함하고,상기 팔라듐 전구체 용액은 팔라듐 전구체 물질 및 폴리비닐피롤리돈(PVP)를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 팔라듐 전구체 물질은 염화팔라듐(PdCl2)으로 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 자외선은 1분 이상 3분 미만의 시간으로 조사되는 것을 특징으로 하는 수소 검출 센서의 제조방법
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산화텅스텐 입자를 제조하는 단계;상기 산화텅스텐 입자의 분산 용액과 팔라듐 전구체 용액을 혼합하는 단계; 상기 혼합 용액을 교반하면서 자외선을 조사하여 상기 산화텅스텐 입자 표면에 부착된 팔라듐 나노입자를 형성함으로써 산화텅스텐과 팔라듐의 복합체를 형성하는 단계; 상기 복합체를 회수하는 단계; 및 상기 복합체의 분산 용액을 기판 상에 도포하는 단계를 포함하고,상기 산화텅스텐 입자를 제조하는 단계는,산화텅스텐 전구체 물질을 탈이온수에 용해시킨 후 염산을 첨가하여 텅스텐산(tungstic acid)을 형성하는 단계; 과산화수소(H2O2)를 첨가하여 상기 텅스텐산을 용해시키는 단계; 상기 텅스텐산이 용해된 용액에 대해 수열합성을 수행하여 산화텅스텐수화물(WO3
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제16항에 있어서, 상기 산화텅스텐수화물 입자를 어닐링하는 단계는 450℃ 내지 550℃의 온도에서 1
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