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홀 패턴을 가지는 마스크층을 피식각층 상에 형성하는 단계; 상기 마스크층의 상기 홀의 벽면에 불화탄소막의 제공층을 형성하는 단계; 및 상기 피식각층이 식각되고, 상기 제공층이 식각되도록 상기 피식각층과 상기 제공층을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하고,상기 제공층은 상기 피식각층의 식각에 필요한 문턱에너지를 넘지 않는 바이아스 전압을 인가하여 CF4, C4F8, 및 C4F6로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스; 및 CH2F2, 및 CHF3으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 혼합 가스의 플라즈마로부터 증착하고,상기 플라즈마 식각에 사용되는 플라즈마 가스는 CF4, C4F8, C4F6, CH2F2, 및 CHF3으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스; 및 Ar 및 O2로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 혼합 가스인, 피식각층의 종단면이 V 형 구조가 되도록 식각하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 피식각층은 Si, SiO2, Si3N4, SiC 및 사파이어로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어짐을 특징으로 하는, 피식각층의 종단면이 V 형 구조가 되도록 식각하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 마스크층은 상기 피식각층 물질 대비 플라즈마 식각 선택비가 높은 물질임을 특징으로 하는,피식각층의 종단면이 V 형 구조가 되도록 식각하는 방법
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피식각층 및 상기 피식각층 상에 위치하는 홀 패턴을 가지는 마스크층을 포함하는 피처리물을 준비하는 단계;상기 피처리물을 플라즈마 발생 챔버에 위치시키는 단계;상기 플라즈마 발생 챔버 내에 제 1 플라즈마 소스 가스를 주입하고, 상기 피식각층의 식각에 필요한 문턱에너지를 넘지 않는 바이아스 전압을 인가하는 단계; 및상기 플라즈마 발생 챔버 내에 제 2 플라즈마 소스 가스를 주입하고, 상기 피식각층의 식각에 필요한 문턱에너지를 넘는 바이아스 전압을 인가하는 단계를 포함하며,상기 제 1 플라즈마 소스 가스는:CF4, C4F8, 및 C4F6로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스; 및CH2F2, 및 CHF3으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는, 혼합 가스이고,상기 제 2 플라즈마 소스 가스는:CF4, C4F8, C4F6, CH2F2, 및 CHF3으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스; 및 Ar 및 O2로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 혼합 가스인 것을 특징으로 하는, 피식각층의 종단면이 V 형 구조가 되도록 식각하는 방법
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제 11항에 있어서,상기 피식각층은 Si, SiO2, Si3N4, SiC, 및 사파이어로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어짐을 특징으로 하는, 피식각층의 종단면이 V 형 구조가 되도록 식각하는 방법
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