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하기를 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법:
전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상(solid) 성형품을 제조하는 단계; 및
상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품을 플라즈마로 처리하는 단계
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제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 단계는,
상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품이 플라즈마에 노출되도록 플라즈마 처리 장치 내 용기에 올려놓는 로딩 단계;
원하는 플라즈마 가스를 선택하여 상기 플라즈마 챔버 내로 주입하는 플라즈마 가스주입 단계;
플라즈마를 발생하기 위하여 상기 플라즈마 챔버에 전압을 인가하는 플라즈마 ON 단계;
상기 발생되는 플라즈마에 대한 상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품의 노출 시간을 제어하는 플라즈마 처리 시간 제어 단계;
상기 플라즈마 발생을 차단하는 플라즈마 OFF 단계; 및
상기 플라즈마 처리된 상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품을 수집하는 단계를 포함하는,
플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 단계 전에, 상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품을 전처리하는 단계를 추가로 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 단계는 -10oC 내지 800oC의 온도에서 수행되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 단계에서 사용되는 상기 플라즈마는 10-6 Torr 내지 5 atm의 압력에서 발생되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 가스는, 아르곤 또는 헬륨인 비활성 가스; 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), CF4; NF3, 또는 SF6인 불화가스; 메탄(CH4),에틸렌(C2H4) 또는 아세틸렌(C2H2)인 탄화수소가스; 일산화황(SO), 이산화황(SO2), 이산화질소(NO2), 일산화질소(NO), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO), 암모니아(NH3) 가스; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 가스는, 액체 상태로부터 기화시켜 사용할 수 있는 과산화수소(H2O2), 메탄올(CH3OH), 에탄올(C2H5OH), 아세톤(CH3COCH3), 아닐린, C6 ~ C20인 탄화수소 액체, HCl, HClO4, HBF4, HPF6, 인산(phosphoric acids), 디클로로아세트산(dichloroacetic acid), 유기 설포닉산 (organic sulfonic acid), 피르브산(pyrubic acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마는 라디오 주파수(Radio Frequency) 플라즈마, 고주파 플라즈마, 유전체장벽방전(Dielectric Barrier Discharge) 플라즈마, AC 또는 DC 글로우 방전 플라즈마, 중간 주파수(Middle Frequency) 플라즈마, 아크 플라즈마, 코로나 방전 플라즈마 또는 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법,
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제 1 항에 있어서,
상기 전도성 고분자가 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐썰파이드 또는 폴리파라페닐렌인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법
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10
하기를 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 고상 도핑 장치:
기체 유입구와 기체 배출구가 형성되어 있는 플라즈마 챔버;
상기 챔버 내부에 설치되고 처리될 상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품이 올려지는 용기; 및
상기 챔버 내부에 설치되며 상기 용기로 플라즈마를 조사하는 플라즈마 발생장치
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제 10 항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버 일측에는 진공 펌프를 포함한 진공 장치가 구비되어 있는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 고상 도핑 장치
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제 10 항에 있어서,
상기 용기에는 상기 플라즈마와 상기 전도성 고분자 나노입자 또는 전도성 고분자 나노입자를 포함하는 고상 성형품과의 이격거리를 조절할 수 있는 스테이지가 구비되어 있는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 고상 도핑 장치
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