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신규 구리실리케이트 분자체와 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015187802
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 신규 구리실리케이트 분자체, 및 상기 구리실리케이트 분자체를 높은 수율로 합성할 수 있는 신규 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 39/00 (2006.01) C01B 33/32 (2006.01)
CPC C01B 33/20(2013.01) C01B 33/20(2013.01) C01B 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020110019378 (2011.03.04)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1243274-0000 (2013.03.07)
공개번호/일자 10-2012-0100464 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.04)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경병 대한민국 서울특별시 종로구
2 다타 슈보 지트 방글라데시 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 지오엔 충청남도 예산군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0157512-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098705-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0451624-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0801764-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0801763-35
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0105380-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카의 소스, 구리의 소스, 알칼리 금속의 소스, 염기 및 물을 함유하는 반응 혼합물을 수열반응시켜 ETS-10 구조를 갖는 구리실리케이트 분자체를 형성하는 것을 포함하며, 여기서 상기 반응 혼합물은 산화제를 포함하지 않는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물의 pH는 8 내지 12인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 수열반응의 온도는 100℃ 내지 300℃인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물이 씨드(seed) 결정을 추가 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물을 수열반응시키기 전에 숙성(aging)시키는 것을 추가 포함하는, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 구리실리케이트 분자체의 결정은 중공(hollow)을 가지는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물이 환원제를 추가 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 환원제는 유기 환원제, 무기환원제, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 유기 환원제는 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 설파이드기, 바이설파이드기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기, 우레아기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 작용기를 가지는 유기 환원제를 1종 이상 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 유기 환원제는 탄소수 1 내지 20을 가지는 카르복실산 및 그의 유도체, 탄소수 1 내지 20을 가지는 디카르복실산 및 그의 유도체, 탄소수 1 내지 20을 가지는 폴리카르복실산 및 그의 유도체, 탄소수 1 내지 20을 가지는 아미노산 및 그의 유도체, 탄소수 1 내지 20을 가지는 1가 또는 다가 알코올, 탄소수 1 내지 20을 가지는 알데히드계 화합물 및 그의 유도체, 탄소수 1 내지 20을 가지는 카르바모일산 및 그의 유도체, 아미노산 및 그의 유도체, 보론산, 보란계 화합물, 히드라진계 화합물, 실란계 화합물, 히드록시락톤계 화합물, 히드로퀴논계 화합물, 유기산의 암모늄염, 카보네이트계 화합물, 아미드계 화합물, 아민계 화합물, 히드록시아민계 화합물, 암모니아 및 암모니아 전구 물질, 우레아 및 우레아 전구 물질, 우레아 가수분해 생성물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 유기 환원제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 것을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2 각각에 있어서, R 및 R' 각각은 독립적으로, 수소, 또는, 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기, 아민기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 아르알킬기, 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기, 또는 우레아기임: [그룹 A]탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기, 할로겐, 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기 및 우레아기로 이루어진 치환기 군
13 13
제 9 항에 있어서,상기 유기 환원제는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 3]상기 식 중, R'은, 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기, 아민기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 아르알킬기, 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기, 또는 우레아기임: [그룹 B]탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기, 할로겐, 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기 및 우레아기로 이루어진 치환기 군
14 14
제 9 항에 있어서,상기 유기 환원제는 당화합물을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
15 15
제 9 항에 있어서,상기 무기 환원제는 무기산, 금속의 할로겐염, 금속의 티오설페이트염, 금속의 설파이트염, 금속의 바이설파이트염, 아철산염, 금속의 아황산염, 수소화금속, 금속 보로하이드라이드, 금속의 암모늄염, 금속의 과황산염, 금속의 과요오드산염, 차아인산, 차아인산암모늄, 금속의 차아인산염, 금속의 에틸렌디아민테트라아세트산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
16 16
제 1 항에 있어서,상기 실리카 소스, 상기 염기, 상기 알칼리 금속의 소스 및 물을 함유하는 제 1 용액을 준비하는 단계:상기 구리의 소스로서 Cu2+-함유 화합물, 및 물을 함유하는 제 2 용액을 준비하는 단계:상기 제 1 용액, 및 상기 제 2 용액을 혼합하여 수득된 상기 반응혼합물을 수열반응시켜 구리실리케이트 분자체를 형성하는 단계:를 포함하는, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법:
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 용액은 환원제를 추가 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 반응 혼합물을 수열반응시키기 전에 숙성(aging)시키는 것을 추가 포함하는, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 반응 혼합물은, 상기 실리카 소스에서 유래되는 SiO2 : 상기 구리의 소스에서 유래되는 CuO : 상기 염기 : 상기 알칼리 금속의 소스 : 물(H2O) 의 몰 비율이, 1 내지 10 : 1 내지 10 : 1 내지 20: 1 내지 20 : 30 내지 700인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
20 20
제 8 항에 있어서, 상기 반응 혼합물은, 상기 실리카 소스에서 유래되는 SiO2 : 상기 구리의 소스에서 유래되는 CuO : 상기 환원제 : 상기 염기 : 상기 알칼리 금속의 소스: 물(H2O) 의 몰 비율이, 1 내지 10 : 1 내지 10 : 1 내지 20: 1 내지 20: 1 내지 20 : 30 내지 700인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 실리카 소스는 실리케이트 염(silicate salt), 실리콘 산화물, 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 규소 화합물을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 3]상기 화학식에 있어서, R1 내지 R4는 서로 독립적으로 각각 수소, 히드록실기, 카르복실기, 할로겐족 원소, C1 내지 C22의 알킬기 또는 알콕시기, 아르알킬 또는 아릴기를 나타내고, R1 내지 R4는 각각 하나 이상의 산소, 질소, 황 또는 금속원자를 포함할 수 있음
22 22
제 1 항에 있어서, 상기 실리카 소스는 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속의 실리케이트염, 콜로이드 실리카, 실리카 하이드로겔, 규산(silicic acid), 발연 실리카(fumed silica), 테트라알킬오르소실리케이트, 실리콘 수산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
23 23
제 1 항에 있어서, 상기 구리의 소스는 구리의 산화물 또는 염을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
24 24
제 1 항에 있어서, 상기 염기는 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
25 25
제 1 항에 있어서, 상기 알칼리 금속의 소스는 알칼리 금속의 염을 함유하는 것인, 구리실리케이트 분자체의 제조 방법
26 26
ETS-10의 결정구조를 가지는, 구리실리케이트 분자체
27 27
제 26 항에 있어서, 상기 구리실리케이트 분자체는 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되는 것인, 구리실리케이트 분자체
28 28
ETS-10의 결정구조를 가지는 구리실리케이트 분자체의 결정
29 29
제 28 항에 있어서, 상기 결정에 중공(hollow)을 가지는 것인, 구리실리케이트 분자체의 결정
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1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 기후변화대응기술개발사업-기초원천기술개발사업 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학 확보 및 원천기술 개발
2 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 도약연구지원사업 마이크로 결정의 조직화 및 응용