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양자점 또는 양자선을 포함하는 제올라이트를 염기성 기체로 처리하는 것을 포함하는, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 1 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트의 기공(pore) 내에 균일하게 분산되어 있는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 1 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 금속, 산화물, 또는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 3 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 CdS, CdO, CdSe, CdTe, ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, MnS, MnO, MnSe, MnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 1 항에 있어서,상기 염기성 기체는 NH3, PH3, AsH3, 아민류 기체 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제올라이트의 기공 내에서 상기 양자점 또는 양자선은 서로 단리된 상태로 분산되는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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제 1 항에 있어서,대기 중에서 상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트 내에서 안정하게 분산되어 있는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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8
제 1 항에 있어서,상기 제올라이트는 제올라이트 Y, 제올라이트 X, 제올라이트 A, 제올라이트 L, 모데나이트(mordenite), 갈로실리케이트, 보로실리케이트, 실리코알루미노포스페이트(SAPO), 또는 알루미노포스페이트(ALPO)를 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법
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분산된 양자점 또는 양자선을 함유하는 제올라이트로서, 상기 양자점 또는 양자선은 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 상기 제올라이트 내에 분산되는 것이며,대기 중에서 상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트의 내에서 안정하게 분산되어 있는 것인,양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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제 9 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트의 기공(pore) 내에 균일하게 분산되어 있는 것인, 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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11
제 9 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 금속, 산화물 또는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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제 11 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 CdS, CdO, CdSe, CdTe, ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, MnS, MnO, MnSe, MnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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제 9 항에 있어서,상기 제올라이트의 기공 내에서 상기 양자점 또는 양자선은 서로 단리된 상태로 분산되는 것인, 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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삭제
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제 9 항에 있어서,상기 제올라이트는 제올라이트 Y, 제올라이트 X, 제올라이트 A, 제올라이트 L, 모데나이트(mordenite), 갈로실리케이트, 보로실리케이트, 실리코알루미노포스페이트(SAPO), 또는 알루미노포스페이트(ALPO)를 포함하는 것인, 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
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양자점 또는 양자선을 포함하는 제올라이트를 염기성 기체로 처리함으로써 상기 양자점 또는 양자선을 제올라이트 내에 분산시키는 것을 포함하는, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 16 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트의 기공(pore) 내에 균일하게 분산되어 있는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 16 항에 있어서,상기 양자점 또는 양자선은 금속, 산화물 또는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 18 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 CdS, CdO, CdSe, CdTe, ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, MnS, MnO, MnSe, MnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 16 항에 있어서,상기 염기성 기체는 NH3, PH3, AsH3, 아민류 기체 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제올라이트의 기공 내에서 상기 양자점 또는 양자선은 서로 단리된 상태로 분산되는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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제 16 항에 있어서,대기 중에서 상기 양자점 또는 양자선은 상기 제올라이트 내에서 안정하게 분산되어 있는 것인, 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 안정화 방법
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