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ITO 드레인 전극 및 Al 소스 전극 사이에 Al 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서,상기 ITO 드레인 전극, Al 소스 전극 및 Al 게이트 전극과 유기 활성층 전체가 세로방향으로 적층되는 한편, 상기 유기 반도체 화합물은 PTCDI C-8(N,N-Dioctyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide), F16CuPc(copper hexadecafluorophthalocyanine), NTCDA(1,4,5,8-naphtha-lenetetracarboxylic dianhydride) 및 PTCDA(perylenetetracarboxylic dianhydride) 중에서 선택되며, 상기 ITO 드레인 전극과 유기 활성층 사이에 정공 주입층 및 고분자 발광층이 적층되어 유기 발광소자로 제작된 것을 특징으로 하는 세로형 유기 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 정공 주입층은 PEDOT-PSS로 이루어진 것을 특징으로 하는 세로형 유기 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 고분자 발광층은 P3HT로 이루어진 것을 특징으로 하는 세로형 유기 박막 트랜지스터
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ITO 코팅된 글라스 위에 내화학 테이프를 이용하여 직사각형 모양으로 ITO 패턴을 형성시키고, 그 패턴된 ITO를 에칭, 세척한 후, 건조시켜 ITO 드레인 전극을 제조하는 제1단계와;상기 패턴된 ITO 드레인 전극 위에 PTCDI C-8(N,N-Dioctyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide), F16CuPc(copper hexadecafluorophthalocyanine), NTCDA(1,4,5,8-naphtha-lenetetracarboxylic dianhydride) 및 PTCDA(perylenetetracarboxylic dianhydride) 중에서 선택된 유기 반도체 화합물을 증착 또는 스핀 코팅하여 제1유기 활성층을 제조하되, ITO 드레인 전극 위에 정공 주입층 및 고분자 발광층을 차례로 스핀 코팅하여 적층한 다음, 그 위에 제1유기 활성층을 증착 또는 스핀 코팅하여 제조하는 제2단계와;상기 제1유기 활성층 위에 Al 게이트 전극을 증착속도 1 ~ 3Å/sec, 전류값 70 ~ 80A로 증착하는 제3단계와;상기 제1유기 활성층과 동일한 두께의 제2유기 활성층을 증착 또는 스핀 코팅을 통해 형성하는 제4단계와; 상기 제1 및 제2유기 활성층 위에 소스 전극을 7 ~ 10Å/sec의 속도로 1200 Å증착하는 제5단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 세로형 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 게이트 전극을 증착시키는 제3단계에서, 두께 100Å, 가로 및 세로가 100㎛ 간격으로 미세 패턴된 정사각형 무늬를 갖는 마스크를 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 세로형 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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